[發(fā)明專利]異質(zhì)外延結(jié)構(gòu),包含異質(zhì)外延結(jié)構(gòu)的金屬疊層體,納米間隙電極,及其制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201980062828.0 | 申請日: | 2019-08-30 |
| 公開(公告)號: | CN112771202B | 公開(公告)日: | 2023-02-24 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 真島豊;崔允永;島田郁子;遠山諒;楊銘悅 | 申請(專利權(quán))人: | 國立研究開發(fā)法人科學(xué)技術(shù)振興機構(gòu) |
| 主分類號: | C23C18/44 | 分類號: | C23C18/44;B32B15/01;C23C18/31 |
| 代理公司: | 北京博雅睿泉專利代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人: | 石偉 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 外延 結(jié)構(gòu) 包含 金屬 疊層體 納米 間隙 電極 及其 制造 方法 | ||
異質(zhì)外延結(jié)構(gòu)體包括具有多晶結(jié)構(gòu)的第1金屬部和第1金屬部上的第2金屬部,第2金屬部在第1金屬部上具有島狀結(jié)構(gòu),第2金屬部設(shè)置為對應(yīng)于在第1金屬部表面上露出的至少一個晶粒,第2金屬部和至少一個晶粒形成異質(zhì)外延界面。第1金屬部包括選自鉑(Pt)、鈀(Pd)、銠(Rh)、釕(Ru)、鋨(Os)、銥(Ir)的一種金屬元素,第2金屬部優(yōu)選為金(Au)。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明的實施方式之一涉及通過化學(xué)鍍進行異質(zhì)外延生長的技術(shù)。此外,本發(fā)明的實施方式之一涉及包括通過化學(xué)鍍異質(zhì)外延生長的區(qū)域的納米間隙電極。
背景技術(shù)
電解電鍍和化學(xué)鍍是工業(yè)上廣泛使用的技術(shù)之一,應(yīng)用廣泛。例如,電子零件的生產(chǎn)現(xiàn)場普遍采用鍍金加工電極的技術(shù)。金(Au)是一種化學(xué)上非常穩(wěn)定的金屬,廣泛用于電子零件。例如,在電子零件中,由于焊料的潤濕性和引線鍵合性優(yōu)異,因此該材料用作為電極材料。金(Au)的膜可以通過電解電鍍形成。由于金(Au)是軟金屬,因此當(dāng)通過電解電鍍形成金(Au)的膜時,在基底面上形成鈷(Co),鎳(Ni)等的電鍍膜以硬化。
電鍍是一種久負盛名的技術(shù),至今仍在進行各種研究。例如,有在鉑 (Pt)上通過電解電鍍使金(Au)的膜層狀生長的研究報告(參照非專利文獻1)。此外,公開在球形鉑(Pt)籽晶的表面上析出從氯化金(III)還原的金(Au)的技術(shù)(參見專利文獻1)。
現(xiàn)有技術(shù)文獻
非專利文獻
非專利文獻1:Stephen Ambrozik,Corey Mitchell,and Nikolay Dimitrov,“TheSpontaneous Deposition of Au on Pt(111)and Polycrystalline Pt”,Journal of TheElectrochemical Society Journal,163(12),D3001-D3007,(2016)
專利文獻
專利文獻1:國際公開號2010/016798
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的技術(shù)課題
然而,利用化學(xué)鍍異質(zhì)外延生長貴金屬的技術(shù)迄今幾乎未報告。電解電鍍是一種通過使電流流動在材料表面上沉積金屬的方法。與此相反,化學(xué)鍍是通過基于金屬離子和還原劑的還原力的化學(xué)反應(yīng)將金屬離子作為金屬沉積在材料上的方法。因此,取決于材料的種類,化學(xué)鍍有時難以生長鍍膜。此外,化學(xué)鍍難以形成具有高粘著性和低接觸電阻的鍍膜。
解決課題的手段
本發(fā)明的實施方式之一涉及的異質(zhì)外延結(jié)構(gòu)體具備:具有多晶結(jié)構(gòu)的第1金屬部,和第1金屬部上的第2金屬部。第2金屬部在第1金屬部上具有島狀結(jié)構(gòu)。第2金屬部對應(yīng)于暴露在第1金屬部表面上的至少一個晶粒而設(shè)置,第2金屬部和至少一個晶粒形成異質(zhì)外延界面。
本發(fā)明的實施方式之一涉及的異質(zhì)外延結(jié)構(gòu)的金屬疊層體具備具有多晶結(jié)構(gòu)的第1金屬部和第1金屬部上的第2金屬部。第2金屬部在第1 金屬部上具有島狀結(jié)構(gòu)。第2金屬部對應(yīng)于暴露在第1金屬部表面上的至少一個晶粒而設(shè)置,第2金屬部和至少一個晶粒包含設(shè)置成覆蓋形成異質(zhì)外延界面的部位的第3金屬部。
本發(fā)明的實施方式之一涉及的含有異質(zhì)外延結(jié)構(gòu)的金屬疊層體的制造方法包括將具有多晶結(jié)構(gòu)的第1金屬部浸漬在化學(xué)鍍液中,所述化學(xué)鍍液含有與第1金屬部不同種類的第2金屬的金屬離子、作為氧化劑的鹵素離子以及還原劑;在用氧化劑和還原劑還原第1金屬部的表面的同時,使通過電化學(xué)取代反應(yīng)從第2金屬的金屬離子還原成的金屬以對應(yīng)于第1金屬部的至少一個晶粒的還原后的表面的方式異質(zhì)外延生長。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C18-00 通過液態(tài)化合物分解抑或覆層形成化合物溶液分解、且覆層中不留存表面材料反應(yīng)產(chǎn)物的化學(xué)鍍覆
C23C18-02 .熱分解法
C23C18-14 .輻射分解法,例如光分解、粒子輻射
C23C18-16 .還原法或置換法,例如無電流鍍
C23C18-54 .接觸鍍,即無電流化學(xué)鍍
C23C18-18 ..待鍍材料的預(yù)處理
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