[發明專利]濺射靶及其制造方法在審
| 申請號： | 201980061601.4 | 申請日： | 2019-09-20 |
| 公開（公告）號： | CN112771199A | 公開（公告）日： | 2021-05-07 |
| 發明（設計）人： | 正能大起;村田周平;岡部岳夫 | 申請（專利權）人： | JX金屬株式會社 |
| 主分類號： | C23C14/34 | 分類號： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 呂琳;樸秀玉 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 濺射 及其 制造 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種濺射靶，其為圓筒形濺射靶，
所述濺射靶至少具備靶材，
所述靶材包含一種或多種金屬元素，
晶體粒徑為50μm以下，
氧濃度為1000質量ppm以下。
2.根據權利要求1所述的濺射靶，其中，
所述晶體粒徑超過10μm。
3.根據權利要求1或2所述的濺射靶，其中，
所述靶材無縫。
4.根據權利要求1～3中任一項所述的濺射靶，其中，
所述金屬元素為鈦。
5.一種方法，其為權利要求1～4中任一項所述的濺射靶的制造方法，所述方法包括：
將包含一種或多種金屬元素的圓柱形坯錠加工成圓筒形坯錠的工序；以及
對所述圓筒形坯錠進行塑性加工的工序。
6.根據權利要求5所述的方法，其中，
進行塑性加工的工序包括：
將芯棒穿過所述圓筒形坯錠來進行鍛造。
7.根據權利要求6所述的方法，其中，
進行塑性加工的工序包括：
在500℃～850℃的范圍內進行一次鍛造；以及
在250℃～600℃的范圍內進行二次鍛造。
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