[發明專利]窄吸收聚合物納米粒子及相關方法在審
| 申請號: | 201980060997.0 | 申請日: | 2019-09-16 |
| 公開(公告)號: | CN112740018A | 公開(公告)日: | 2021-04-30 |
| 發明(設計)人: | D·T·邱;陳磊;于江波 | 申請(專利權)人: | 華盛頓大學 |
| 主分類號: | G01N21/64 | 分類號: | G01N21/64;A61K38/16;C07F5/02;G01N33/53 |
| 代理公司: | 上海專利商標事務所有限公司 31100 | 代理人: | 王穎;江磊 |
| 地址: | 美國華*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 吸收 聚合物 納米 粒子 相關 方法 | ||
1.要求保護排他性屬性或特權的本公開的實施方案定義如下:
一種包括聚合物的納米粒子,所述聚合物包括:
吸收性單體單元;和
發射性單體單元;
其中所述納米粒子在吸光度最大值的10%處的吸收寬度小于150nm。
2.一種包括聚合物的納米粒子,所述聚合物包括:
吸收性單體單元,所述吸收性單體單元包括BODIPY、BODIPY衍生物、diBODIPY、diBODIPY衍生物、Atto染料、若丹明、若丹明衍生物、香豆素、香豆素衍生物、花青、花青衍生物、芘、芘衍生物、方酸、方酸衍生物或它們的任何組合;和
發射性單體單元。
3.根據權利要求1或權利要求2所述的納米粒子,其中所述聚合物進一步包括與所述吸收性單體單元和所述發射性單體單元不同的一種或多種單體單元。
4.一種包括聚合物的納米粒子,所述聚合物包括:
第一吸收性單體單元;
發射性單體單元;和
不同于所述吸收性單體單元和所述發射性單體單元的一種或多種單體單元;
其中所述納米粒子在吸光度最大值的15%處的吸收寬度小于150nm。
5.根據權利要求1至4中任一項所述的納米粒子,其中所述吸收性單體單元包括BODIPY、BODIPY衍生物、diBODIPY、diBODIPY衍生物、Atto染料、若丹明、若丹明衍生物、香豆素、香豆素衍生物、花青、花青衍生物、芘、芘衍生物、方酸、方酸衍生物或它們的任何組合。
6.根據權利要求3至5中任一項所述的納米粒子,其中所述聚合物包括與所述吸收性單體單元和所述發射性單體單元不同的2種單體單元。
7.根據權利要求3至6中任一項所述的納米粒子,其中與所述吸收性單體單元和所述發射性單體單元不同的所述一種或多種單體單元包括通用單體單元、官能單體單元、能量轉移單體單元、第二吸收單體單元或它們的任何組合。
8.根據權利要求7所述的納米粒子,其中所述官能單體單元包括親水單體單元。
9.根據權利要求1至8中任一項所述的納米粒子,其中所述聚合物包括第一吸收性單體單元、發射性單體單元和能量轉移單元。
10.根據權利要求1至9中任一項所述的納米粒子,其中所述聚合物包括第一吸收性單體單元、發射性單體單元、能量轉移單元和官能單體單元。
11.根據權利要求1至8中任一項所述的納米粒子,其中所述聚合物包括第一吸收性單體單元、發射性單體單元和官能單體單元。
12.根據權利要求1至11中任一項所述的納米粒子,其中所述聚合物進一步包括另外的第二吸收性單體單元。
13.根據權利要求1至12中任一項所述的納米粒子,其中所述納米粒子包括具有比450nm更長的波長的吸收峰。
14.根據權利要求1至13中任一項所述的納米粒子,其中所述納米粒子具有FWHM為80nm或更小的吸收光譜。
15.根據權利要求1至14中任一項所述的納米粒子,其中所述聚合物包括:包括所述吸收性單體單元的主鏈、包括所述吸收性單體單元的側鏈、包括所述吸收性單體單元的末端或它們的任何組合。
16.一種納米粒子,包括:
第一聚合物,所述第一聚合物包括吸收性單體單元;和
第二聚合物,所述第二聚合物包括發射性單體單元,
其中所述納米粒子在吸光度最大值的15%處的吸收寬度小于150nm。
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