[發(fā)明專(zhuān)利]攝像裝置、其制造方法及電子設(shè)備在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201980060662.9 | 申請(qǐng)日: | 2019-09-20 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112703598A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-04-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 山崎舜平;池田隆之;掛端哲彌;德丸亮 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L27/144 | 分類(lèi)號(hào): | H01L27/144;G02B5/22;H01L21/02;H01L27/146;H01L29/786;H04N5/33 |
| 代理公司: | 上海專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人: | 宋俊寅 |
| 地址: | 日本神*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 攝像 裝置 制造 方法 電子設(shè)備 | ||
提供一種適合檢測(cè)紅外光的攝像裝置。本發(fā)明是一種攝像裝置,其中依次層疊第一層、第二層、第三層、第四層,第一層包括紅外透射濾波器,第二層包含單晶硅,第三層包括器件形成層,第四層包括支撐襯底,第二層包括將單晶硅用作光吸收層的光電轉(zhuǎn)換器件,第三層包括在溝道形成區(qū)域包含金屬氧化物的晶體管,光電轉(zhuǎn)換器件與晶體管電連接,光電轉(zhuǎn)換器件接收透過(guò)紅外透射濾波器的光。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明的一個(gè)方式涉及一種攝像裝置。
注意,本發(fā)明的一個(gè)方式不局限于上述技術(shù)領(lǐng)域。本說(shuō)明書(shū)等所公開(kāi)的發(fā)明的一個(gè)方式的技術(shù)領(lǐng)域涉及一種物體、方法或制造方法。另外,本發(fā)明的一個(gè)方式涉及一種程序(process)、機(jī)器(machine)、產(chǎn)品(manufacture)或者組合物(composition of matter)。因此,更具體而言,作為本說(shuō)明書(shū)所公開(kāi)的本發(fā)明的一個(gè)方式的技術(shù)領(lǐng)域的例子,可以舉出半導(dǎo)體裝置、顯示裝置、液晶顯示裝置、發(fā)光裝置、照明裝置、蓄電裝置、存儲(chǔ)裝置、攝像裝置、它們的驅(qū)動(dòng)方法或者它們的制造方法。
注意,在本說(shuō)明書(shū)等中,半導(dǎo)體裝置是指能夠通過(guò)利用半導(dǎo)體特性而工作的所有裝置。晶體管、半導(dǎo)體電路為半導(dǎo)體裝置的一個(gè)方式。另外,存儲(chǔ)裝置、顯示裝置、攝像裝置、電子設(shè)備有時(shí)包括半導(dǎo)體裝置。
背景技術(shù)
使用形成在襯底上的氧化物半導(dǎo)體薄膜構(gòu)成晶體管的技術(shù)受到關(guān)注。例如,專(zhuān)利文獻(xiàn)1公開(kāi)了將包括氧化物半導(dǎo)體的關(guān)態(tài)電流極低的晶體管用于像素電路的結(jié)構(gòu)的攝像裝置。
[先行技術(shù)文獻(xiàn)]
[專(zhuān)利文獻(xiàn)]
[專(zhuān)利文獻(xiàn)1]日本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)第2011-119711號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題
攝像裝置不僅用于使可見(jiàn)光成像的單元而且用于各種用途。例如,用于個(gè)人識(shí)別、缺陷分析、醫(yī)療診斷、安全領(lǐng)域等用途。在這些用途中除了可見(jiàn)光以外根據(jù)用途選擇適當(dāng)?shù)腦射線等短波長(zhǎng)的光、紅外光等長(zhǎng)波長(zhǎng)的光等。
本發(fā)明的一個(gè)方式的目的之一是提供一種適合檢測(cè)紅外光的攝像裝置。本發(fā)明的一個(gè)方式的目的之一是提供一種適合生物識(shí)別的攝像裝置。本發(fā)明的一個(gè)方式的目的之一是提供一種適合動(dòng)態(tài)攝像的攝像裝置。此外,本發(fā)明的一個(gè)方式的目的之一是提供一種上述攝像裝置的制造方法。
本發(fā)明的一個(gè)方式的目的之一是提供一種低功耗的攝像裝置。本發(fā)明的一個(gè)方式的目的之一是提供一種高可靠性的攝像裝置。本發(fā)明的一個(gè)方式的目的之一是提供一種小型的攝像裝置。本發(fā)明的一個(gè)方式的目的之一是提供一種新穎的攝像裝置。本發(fā)明的一個(gè)方式的目的之一是提供一種上述攝像裝置的工作方法。此外,本發(fā)明的一個(gè)方式的目的之一是提供一種新穎的半導(dǎo)體裝置等。
注意,這些目的的記載并不妨礙其他目的的存在。注意,本發(fā)明的一個(gè)方式并不需要實(shí)現(xiàn)所有上述目的。可以從說(shuō)明書(shū)、附圖、權(quán)利要求書(shū)等的記載得知并抽出上述以外的目的。
解決技術(shù)問(wèn)題的手段
本發(fā)明的一個(gè)方式是一種攝像裝置及其制造方法,其中在攝像器件中包含單晶硅,在構(gòu)成電路的晶體管的溝道形成區(qū)域包含金屬氧化物。
本發(fā)明的一個(gè)方式是一種包括單晶硅襯底以及支撐襯底的攝像裝置的制造方法,包括如下步驟:在單晶硅襯底的第一面一側(cè)設(shè)置與單晶硅襯底的導(dǎo)電型相反的導(dǎo)電型的區(qū)域來(lái)形成光電轉(zhuǎn)換器件;在光電轉(zhuǎn)換器件上形成在溝道形成區(qū)域包含金屬氧化物且與光電轉(zhuǎn)換器件電連接的晶體管;在晶體管上形成第一絕緣層;在支撐襯底上形成第二絕緣層;使第一絕緣層的表面與第二絕緣層的表面結(jié)合;以及對(duì)與單晶硅襯底的第一面相對(duì)的面進(jìn)行研磨以及拋光來(lái)使光電轉(zhuǎn)換器件的光吸收層薄層化。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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