[發(fā)明專利]用于制造發(fā)光元件的方法和包括發(fā)光元件的顯示裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201980060103.8 | 申請日： | 2019-04-23 |
| 公開（公告）號： | CN112689903A | 公開（公告）日： | 2021-04-20 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 李昇我;金東旭;趙顯敏;金大賢;閔正泓;李東彥;車炯來 | 申請（專利權(quán)）人： | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/50;H01L33/06;H01L33/36;H01L33/32;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286 | 代理人： | 劉林果;張逍遙 |
| 地址： | 韓國京畿*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 制造 發(fā)光 元件 方法 包括 顯示裝置 | ||
1.一種制造發(fā)光元件的方法，所述方法包括：
提供形成在基底上的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；
測量從所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)發(fā)射的具有彼此不同的波段的光，以限定波長區(qū)域；以及
在所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上形成具有彼此不同的直徑且彼此間隔開的納米圖案，并且蝕刻所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以形成元件棒。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述波長區(qū)域包括：
第一波長區(qū)域，從所述第一波長區(qū)域發(fā)射具有第一波段的第一光；
第二波長區(qū)域，從所述第二波長區(qū)域發(fā)射具有比所述第一波段短的第二波段的第二光；以及
第三波長區(qū)域，從所述第三波長區(qū)域發(fā)射具有比所述第二波段短的第三波段的第三光。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，
其中，在形成所述納米圖案的步驟中，隨著從所述波長區(qū)域發(fā)射的光的波段減小，在所述波長區(qū)域上形成具有增大的直徑的所述納米圖案。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，
其中，所述納米圖案包括第一納米圖案、第二納米圖案和第三納米圖案，所述第二納米圖案具有比所述第一納米圖案的直徑大的直徑，所述第三納米圖案具有比所述第二納米圖案的直徑大的直徑，并且
所述第一納米圖案形成在所述第一波長區(qū)域上，所述第二納米圖案形成在所述第二波長區(qū)域上，并且所述第三納米圖案形成在所述第三波長區(qū)域上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述元件棒包括：
第一元件棒，形成在與所述第一波長區(qū)域疊置的區(qū)域中；
第二元件棒，形成在與所述第二波長區(qū)域疊置的區(qū)域中；以及
第三元件棒，形成在與所述第三波長區(qū)域疊置的區(qū)域中。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，
其中，所述第二元件棒在直徑上比所述第一元件棒大但在直徑上比所述第三元件棒小，并且
所述第一元件棒、所述第二元件棒和所述第三元件棒發(fā)射基本相同的波段的光。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，
其中，所述第三波長區(qū)域設(shè)置在所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的中心處，所述第二波長區(qū)域設(shè)置為圍繞所述第三波長區(qū)域的外表面，并且
所述第一波長區(qū)域設(shè)置為圍繞所述第二波長區(qū)域的外表面。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，
其中，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括穿過所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的所述中心的第一軸，
所述納米圖案的所述直徑從所述第一軸的一端朝向所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的所述中心增大，并且
所述納米圖案的所述直徑從所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的所述中心朝向所述第一軸的另一端減小。
9.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，
其中，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括穿過所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的中心的第二軸，
所述第一波長區(qū)域設(shè)置在所述第二軸的一端處，
所述第二波長區(qū)域部分地圍繞所述第一波長區(qū)域的外表面并沿所述第二軸的另一端的方向延伸，并且
所述第三波長區(qū)域部分地圍繞所述第二波長區(qū)域的外表面并延伸到所述第二軸的所述另一端。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，
其中，沿著所述第二軸設(shè)置的所述至少一個納米圖案的所述直徑從所述第二軸的所述一端朝向所述第二軸的所述另一端增大。
11.一種制造發(fā)光元件的方法，所述方法包括：
提供基底和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述基底上并且包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、活性材料層和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層；
形成蝕刻掩模層以及包括一個或更多個納米圖案的蝕刻圖案層，所述蝕刻掩模層形成在所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上，所述一個或更多個納米圖案形成在所述蝕刻掩模層上，具有彼此不同的直徑，并且彼此間隔開；
沿著所述納米圖案彼此間隔開處的區(qū)域在與所述基底垂直的方向上蝕刻所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，以形成元件棒；以及
使所述元件棒與所述基底分離，以形成發(fā)光元件。
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