[發明專利]非易失性半導體存儲裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 201980059930.5
• 申請日: 2019-03-06
• 公開（公告）號: CN112689894A
• 公開（公告）日: 2021-04-20
• 發明（設計）人: 野田光太郎
• 申請（專利權）人: 鎧俠股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8239
• 分類號: H01L21/8239;H01L27/105;H01L45/00
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 劉英華

1.一種非易失性半導體存儲裝置，具備：

多個第一布線層，在第一方向上延伸，沿著與所述第一方向交叉的第二方向排列；

多個第二布線層，在與所述第一方向及所述第二方向交叉的第三方向上設置于所述多個第一布線層的上方，在所述第一方向上排列，在所述第二方向上延伸；

多個第一層疊結構體，在所述多個第二布線層與所述多個第一布線層的交叉部分，配置于所述第二布線層與所述第一布線層之間，包含第一存儲單元；

第二層疊結構體，與所述多個第一布線層在所述第二方向上相鄰，沿著所述第二方向排列，與所述第二布線層相接觸；以及

絕緣層，設置于所述多個第一層疊結構體之間以及所述多個第二層疊結構體之間，

所述第二層疊結構體的楊氏模量比所述絕緣層的楊氏模量大。

2.根據權利要求1所述的非易失性半導體存儲裝置，其中，

所述第一層疊結構體具備第一電極，

所述第二層疊結構體具備第二電極。

3.根據權利要求1所述的非易失性半導體存儲裝置，其中，還具備：

第一絕緣層，設置于所述多個第一層疊結構體之間；以及

第二絕緣層，設置于所述多個第二層疊結構體之間，

在所述第二方向上，在最接近所述第二層疊結構體的所述多個第一層疊結構體中的一個第一層疊結構體、與最接近所述第一層疊結構體的所述多個第二層疊結構體中的一個第二層疊結構體之間，設置有所述第一絕緣層和所述第二絕緣層。

4.根據權利要求3所述的非易失性半導體存儲裝置，其中，

所述第二絕緣層的楊氏模量比所述第一絕緣層的楊氏模量大。

5.根據權利要求3所述的非易失性半導體存儲裝置，其中，

所述第二層疊結構體具備收縮率比所述第一絕緣層的收縮率小的膜。

6.根據權利要求1所述的非易失性半導體存儲裝置，其中，具備：

多個第一導電層，與所述多個第一布線層在所述第二方向上相鄰，與所述第一布線層設置于同一層，沿著所述第二方向排列，

所述第二層疊結構體設置于所述第二布線層與所述第一導電層之間。

7.根據權利要求1所述的非易失性半導體存儲裝置，其中，具備：

多個第三布線層，在所述第三方向上設置于所述多個第二布線層的上方，在所述第一方向上延伸；

第三層疊結構體，在所述多個第三布線層與所述多個第二布線層的交叉部分，配置于所述第三布線層與所述第二布線層之間，包含第二存儲單元；以及

第四層疊結構體，與所述第三層疊結構體在所述第二方向上相鄰配置，與所述第三布線層相接觸。

8.根據權利要求6所述的非易失性半導體存儲裝置，其中，

所述第一導電層不與所述第二布線層以外的任一布線層連接。

9.根據權利要求1所述的非易失性半導體存儲裝置，其中，

所述第二層疊結構體具備與包含所述第一存儲單元的所述第一層疊結構體相同的層疊結構。

10.根據權利要求7所述的非易失性半導體存儲裝置，其中，具備：

第二導電層，以與所述第二布線層相鄰的方式與所述多個第二布線層配置于同一平面上，

所述第四層疊結構體在所述第二導電層與所述第三布線層的交叉部分配置于所述第三布線層與所述第二導電層之間。