[發明專利]半導體裝置的制造方法、基板處理裝置和記錄介質

在審

• 申請號: 201980059712.1
• 申請日: 2019-08-13
• 公開（公告）號: CN112740364A
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發明（設計）人: 小川有人
• 申請（專利權）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: H01L21/285
• 分類號: H01L21/285;C23C16/455;H01L27/11556;H01L27/11582
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 陳彥;李宏軒

本發明提供一種技術，能夠在基板上形成膜，并抑制在表面形成的凹部與設置為從該凹部的側面開始在與凹部的深度方向不同的方向上延伸的其他凹部之間形成間隙。具有：(a)對于基板供給含金屬氣體的工序，所述基板在表面上形成有第一凹部和設置為從上述第一凹部的側面開始在與上述第一凹部的深度方向不同的方向上延伸的第二凹部，(b)對于上述基板供給還原氣體的工序，(c)對于上述基板供給含鹵氣體的工序和(d)對于上述基板供給含氧氣體的工序。

技術領域

本公開涉及半導體裝置的制造方法、基板處理裝置和記錄介質。

背景技術

近年來，伴隨半導體裝置的高集成化和高性能化，正在進行使用各種金屬膜的3維結構的半導體裝置的制造(例如專利文獻1和專利文獻2參照)。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2017-69407號公報

專利文獻2：日本特開2018-49898號公報

發明內容

發明要解決的課題

在作為3維結構的半導體裝置的一例的NAND型閃存的控制柵極中，使用鎢膜(W膜)等。該W膜的電阻會對裝置特性產生顯著影響，因而要求埋入性良好且高品質、低電阻的膜。

此外，關于被用作NAND型閃存的控制柵極的W膜，通過對如圖1所示的晶圓200供給氣體來形成，該晶圓200在表面形成有溝槽、孔等凹部5，并從凹部5的側面在橫方向(即水平方向)上形成有橫穴6。圖1中的箭頭表示氣體的流動。需說明的是，凹部5設置為在與晶圓200的表面垂直的方向上延伸，橫穴6設置為從凹部5的側面開始在與凹部5的深度方向不同的方向，即與晶圓200的表面平行的方向上延伸。圖1中，橫穴6顯示為在左右方向延伸的樣子，但也可以形成為向深處方向延伸。此外，橫穴6可以為孔狀，也可以為溝槽狀。也可將凹部5、橫穴6分別稱為第一凹部和第二凹部。

但是，在從晶圓200的凹部5開始在橫方向上形成的橫穴6上形成W膜時，在橫穴6的入口附近會有W膜變厚的傾向。因此，有時在橫穴6的入口附近會首先被堵塞，氣體不能傳輸到橫穴6的深處側，在橫穴6內不能埋入W膜而形成間隙。因為這樣的間隙而使W膜的埋入量減小，所以與沒有間隙的情形相比，W膜的電阻會增大。

解決課題的方法

根據本公開的一方面，提供一種技術，包括：

(a)對于基板供給含金屬氣體的工序，所述基板在表面上形成有第一凹部和設置為從上述第一凹部的側面開始在與上述第一凹部的深度方向不同的方向上延伸的第二凹部，

(b)對于上述基板供給還原氣體的工序，

(c)對于上述基板供給含鹵氣體的工序，和

(d)對于上述基板供給含氧氣體的工序。

發明效果

根據本公開，能夠在基板上形成膜，并抑制在形成于表面的凹部和設置為從該凹部的側面開始在與凹部的深度方向不同的方向上延伸的其他凹部形成間隙。

附圖說明

圖1是用于對使用基板處理裝置對要處理的基板供給的氣體的流動進行說明的圖。

圖2是顯示基板處理裝置的縱型處理爐的概略的縱截面圖。

圖3是圖2中的A-A線概略橫截面圖。

圖4是基板處理裝置的控制器的概略構成圖，是用框圖來顯示控制器的控制系統的圖。

圖5是顯示基板處理裝置的動作的流程圖。

圖6是顯示氣體供給的時刻的圖。