[發明專利]用于增強現實的高折射率波導在審
| 申請號: | 201980058477.6 | 申請日: | 2019-04-11 |
| 公開(公告)號: | CN112639575A | 公開(公告)日: | 2021-04-09 |
| 發明(設計)人: | 李甘戈;劉志強;周韋;阿卡什·阿羅拉;安格斯·吳 | 申請(專利權)人: | 華為技術有限公司 |
| 主分類號: | G02B27/00 | 分類號: | G02B27/00;G02B27/42 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518129 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 增強 現實 折射率 波導 | ||
1.一種增強現實(augmented reality,AR)光波導,其特征在于,包括:
透明襯底,包括用戶近側表面和用戶遠側表面;
傾斜蝕刻衍射光柵,包括在所述透明襯底的所述用戶遠側表面上,其中,所述傾斜蝕刻衍射光柵的折射率大于或等于2.0。
2.根據權利要求1所述的AR光波導,其特征在于,所述傾斜蝕刻衍射光柵在沉積在所述透明襯底的所述用戶遠側表面上的無機膜上蝕刻。
3.根據權利要求1或2所述的AR光波導,其特征在于,所述傾斜蝕刻衍射光柵包括氮化硅(Si3N4)、二氧化鉿(HfO2)、二氧化鈦(TiO2)、五氧化鈮(Nb2O5)、過氧化鋅(ZnO2)、五氧化鉭(Ta2O5)、二氧化鋯(ZrO2)或其組合。
4.根據權利要求1至3中任一項所述的AR光波導,其特征在于,所述傾斜蝕刻衍射光柵的厚度在100納米(nanometer,nm)至2000nm之間。
5.根據權利要求1所述的AR光波導,其特征在于,所述傾斜蝕刻衍射光柵在所述透明襯底上蝕刻。
6.根據權利要求1或5所述的AR光波導,其特征在于,所述傾斜蝕刻衍射光柵包括玻璃。
7.根據權利要求1至6中任一項所述的AR光波導,其特征在于,所述傾斜蝕刻衍射光柵的硬度大于5硬度(Hardness,H)。
8.根據權利要求1至7中任一項所述的AR光波導,其特征在于,所述傾斜蝕刻衍射光柵的折射率在2.0至2.6的范圍內。
9.根據權利要求1至8中任一項所述的AR光波導,其特征在于,所述透明襯底的折射率大于或等于2.0。
10.一種方法,其特征在于,包括:
將光致抗蝕劑涂層施加到透明襯底上;
對所述光致抗蝕劑涂層進行光刻;
顯影所述光致抗蝕劑涂層;
通過所述光致抗蝕劑涂層進行角度定向反應離子蝕刻,以在所述透明襯底的用戶遠側表面上形成傾斜蝕刻衍射光柵,其中,所述傾斜蝕刻衍射光柵的折射率大于或等于2.0。
11.根據權利要求10所述的方法,其特征在于,所述傾斜蝕刻衍射光柵在所述透明襯底上蝕刻。
12.根據權利要求10或11所述的方法,其特征在于,所述傾斜蝕刻衍射光柵包括玻璃。
13.根據權利要求10所述的方法,其特征在于,還包括在施加所述光致抗蝕劑涂層之前將無機膜沉積到所述透明襯底上,其中,所述傾斜蝕刻衍射光柵在所述無機膜上蝕刻。
14.根據權利要求10或13所述的方法,其特征在于,所述傾斜蝕刻衍射光柵包括氮化硅(Si3N4)、二氧化鉿(HfO2)、二氧化鈦(TiO2)、五氧化鈮(Nb2O5)、過氧化鋅(ZnO2)、五氧化鉭(Ta2O5)、二氧化鋯(ZrO2)或其組合。
15.根據權利要求13或14所述的方法,其特征在于,所述無機膜的厚度在100納米(nanometer,nm)至2000nm之間。
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