[發明專利]攝像裝置和電子設備在審
| 申請號: | 201980058123.1 | 申請日: | 2019-12-09 |
| 公開(公告)號: | CN112655198A | 公開(公告)日: | 2021-04-13 |
| 發明(設計)人: | 江尻洋一 | 申請(專利權)人: | 索尼半導體解決方案公司 |
| 主分類號: | H04N5/3745 | 分類號: | H04N5/3745;H01L27/146;H04N5/369 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290 | 代理人: | 陳桂香;曹正建 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 攝像 裝置 電子設備 | ||
1.一種攝像裝置,包括:
第一基板,其包含將光轉換成電荷的至少一個傳感器部;
第二基板,其包含讀出電路的第一部分,所述讀出電路的第一部分具有至少一個第一晶體管,所述讀出電路輸出基于所述電荷的像素信號;和
第三基板,其包含對所述像素信號進行處理的邏輯電路,
其中,所述第一基板、所述第二基板和所述第三基板按此順序層疊著。
2.根據權利要求1所述的攝像裝置,其中,
所述第一基板還包含累積所述電荷的浮動擴散部,并且
所述至少一個第一晶體管包括放大晶體管,所述放大晶體管的柵極電極與所述浮動擴散部連接。
3.根據權利要求1所述的攝像裝置,其中,
所述至少一個傳感器部包括多個傳感器部,并且
所述讀出電路包括針對所述多個傳感器部中的各者而分別設置的模數轉換電路。
4.根據權利要求1所述的攝像裝置,其中,
所述讀出電路包括模數轉換電路的第一部分,所述模數轉換電路的第一部分含有比較電路,并且
所述至少一個第一晶體管包含于所述比較電路中。
5.根據權利要求1所述的攝像裝置,其中,
所述至少一個傳感器部包括多個傳感器部,
所述多個傳感器部以行和列設置著,并且
所述讀出電路包括針對所述多個傳感器部的各列而分別設置的模數轉換電路。
6.根據權利要求5所述的攝像裝置,其中,
所述讀出電路包括垂直信號線,并且
所述至少一個第一晶體管包括與所述垂直信號線連接的負載晶體管。
7.根據權利要求5所述的攝像裝置,其中,
所述讀出電路包括采樣保持電路,并且
所述至少一個第一晶體管包括:包含于所述采樣保持電路中的輸入晶體管。
8.根據權利要求1所述的攝像裝置,其中,所述至少一個第一晶體管包括:
溝道區域,其設置在所述第二基板的半導體區域中;
柵極絕緣膜,其設置在所述溝道區域上;
柵極電極,其設置在所述柵極絕緣膜上;
源極區域,其設置在所述第二基板的所述半導體區域中且位于與所述溝道區域相鄰的位置處;
漏極區域,其設置在所述第二基板的所述半導體區域中且位于在所述溝道區域的與所述源極區域相反的一側與所述溝道區域相鄰的位置處;
第一金屬層,其設置得覆蓋所述柵極電極的前表面;
第二金屬層,其設置得覆蓋所述源極區域的前表面;以及
第三金屬層,其設置得覆蓋所述漏極區域的前表面。
9.根據權利要求1所述的攝像裝置,其中,
所述第三基板包含所述讀出電路的第二部分,所述讀出電路的第二部分與所述讀出電路的第一部分連接,且所述讀出電路的第二部分包括第二晶體管。
10.根據權利要求1所述的攝像裝置,其中,
所述至少一個第一晶體管包括NMOS晶體管和/或PMOS晶體管,并且
所述至少一個第一晶體管接收和輸出基于所述電荷的模擬信號,且所述第二晶體管接收和輸出基于所述模擬信號的數字信號。
11.根據權利要求9所述的攝像裝置,其中,所述至少一個傳感器部包括:共用所述至少一個第一晶體管的多個傳感器部。
12.根據權利要求1所述的攝像裝置,其中,所述至少一個傳感器部包括光電二極管和傳輸晶體管。
13.根據權利要求1所述的攝像裝置,其中,所述讀出電路包括放大晶體管、復位晶體管和選擇晶體管中的至少一者。
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