[發(fā)明專利]裸晶附接系統(tǒng)及用此系統(tǒng)進行集成精度驗證和校準的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201980058090.0
• 申請日: 2019-09-05
• 公開（公告）號: CN112771652A
• 公開（公告）日: 2021-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: A·德博克;R·布曼
• 申請（專利權(quán)）人: 安必昂公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/68
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 李隆濤

1.一種裸晶附接系統(tǒng)，其包括：

驗證基底，其被構(gòu)造為接收多個裸晶，所述驗證基底包括多個基底參考標記；以及

成像系統(tǒng)，其用于通過對所述多個裸晶中的每個裸晶與所述多個基底參考標記中的相應(yīng)基底參考標記進行成像來確定所述多個裸晶與所述驗證基底的對準。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裸晶附接系統(tǒng)，其中，所述成像系統(tǒng)包括攝像機。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裸晶附接系統(tǒng)，其中，使用來自所述成像系統(tǒng)的圖像數(shù)據(jù)來確定所述多個裸晶中的每個裸晶與所述多個基底參考標記中的相應(yīng)基底參考標記之間的位置偏差。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裸晶附接系統(tǒng)，其中，所述位置偏差包括沿著x軸線、沿著y軸線以及圍繞θ軸線的偏差分量。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裸晶附接系統(tǒng)，其中，在所述成像系統(tǒng)的攝像機的單個視場中，對所述多個裸晶中的每個裸晶與所述多個基底參考標記中的相應(yīng)基底參考標記一起進行成像。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裸晶附接系統(tǒng)，其中，所述驗證基底是精度驗證基底，并且使用所述成像系統(tǒng)確定的所述對準是所述多個裸晶中的每個裸晶放置在所述驗證基底上之后的放置精度。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裸晶附接系統(tǒng)，其中，所述驗證基底是玻璃基底。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裸晶附接系統(tǒng)，其中，所述驗證基底是精度驗證基底，并且使用所述成像系統(tǒng)確定的所述對準是在將所述多個裸晶中的每個裸晶結(jié)合到基底之前確定的預結(jié)合對準，其中，在預結(jié)合對準確定期間，所述多個裸晶中的每個裸晶被定位于驗證基底上方。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裸晶附接系統(tǒng)，其中，在所述預結(jié)合對準確定期間，所述多個裸晶中的每個裸晶被粘附至裸晶供應(yīng)源的膜。

10.一種操作裸晶附接系統(tǒng)的方法，所述方法包括以下步驟：

提供構(gòu)造為接收多個裸晶的驗證基底，所述驗證基底包括多個基底參考標記；

使用所述裸晶附接系統(tǒng)的成像系統(tǒng)對所述多個裸晶中的每個裸晶與所述多個基底參考標記中的相應(yīng)基底參考標記進行成像，以用于確定所述多個裸晶與所述驗證基底的對準。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述成像系統(tǒng)包括攝像機。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，關(guān)于對準確定，使用來自所述成像系統(tǒng)的圖像數(shù)據(jù)來確定在所述多個裸晶中的每個裸晶與所述多個基底參考標記中的相應(yīng)基底參考標記之間的位置偏差。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述位置偏差包括沿著x軸線、沿著y軸線以及圍繞θ軸線的偏差分量。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，在成像步驟期間，在所述成像系統(tǒng)的攝像機的單個視場中對所述多個裸晶中的每個裸晶與所述多個基底參考標記中的相應(yīng)基底參考標記一起進行成像。

15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述驗證基底是精度驗證基底，并且使用所述成像系統(tǒng)確定的所述對準是所述多個裸晶中的每個裸晶放置在所述驗證基底上之后的放置精度。

16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述驗證基底是玻璃基底。

17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述驗證基底是精度驗證基底，并且使用所述成像系統(tǒng)確定的所述對準是在將所述多個裸晶的每個裸晶結(jié)合到基底之前確定的預結(jié)合對準，其中，在預結(jié)合對準確定期間，所述多個裸晶中的每個裸晶被定位在所述驗證基底上方。