[發(fā)明專利]具有多個(gè)光電二極管的像素單元在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201980058063.3 | 申請(qǐng)日: | 2019-09-05 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112640113A | 公開(公告)日: | 2021-04-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳松;劉新橋 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 臉譜科技有限責(zé)任公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/146 | 分類號(hào): | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京安信方達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11262 | 代理人: | 張瑞;楊明釗 |
| 地址: | 美國(guó)加利*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 光電二極管 像素 單元 | ||
1.一種裝置,包括:
半導(dǎo)體襯底,其包括多個(gè)像素單元,每個(gè)像素單元至少包括第一光電二極管、第二光電二極管、第三光電二極管和第四光電二極管;
多個(gè)濾光器陣列,每個(gè)濾光器陣列至少包括第一濾光器元件、第二濾光器元件、第三濾光器元件和第四濾光器元件,每個(gè)濾光器陣列的第一濾光器元件覆蓋在每個(gè)像素單元的第一光電二極管上,所述濾光器陣列的第二濾光器元件覆蓋在每個(gè)像素單元的第二光電二極管上,所述濾光器陣列的第三濾光器元件覆蓋在每個(gè)像素單元的第三光電二極管上,所述濾光器陣列的第四濾光器元件覆蓋在每個(gè)像素單元的第四光電二極管上,每個(gè)濾光器陣列的第一濾光器元件、第二濾光器元件、第三濾光器元件和第四濾光器元件中的至少兩個(gè)具有不同的波長(zhǎng)通帶;和
多個(gè)微透鏡,每個(gè)微透鏡覆蓋在每個(gè)濾光器陣列上,并且被配置為將來自場(chǎng)景的點(diǎn)的光分別經(jīng)由每個(gè)濾光器陣列的第一濾光器元件、第二濾光器元件、第三濾光器元件和第四濾光器元件引導(dǎo)到每個(gè)像素單元的第一光電二極管、第二光電二極管、第三光電二極管和第四光電二極管。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中:
每個(gè)濾光器陣列的第一濾光器元件和第二濾光器元件沿著第一軸對(duì)齊;
每個(gè)像素單元的第一光電二極管和第二光電二極管在所述半導(dǎo)體襯底的光接收表面下方沿著所述第一軸對(duì)齊;和
所述第一濾光器元件沿著垂直于所述第一軸的第二軸覆蓋在所述第一光電二極管上;
所述第二濾光器元件沿著所述第二軸覆蓋在所述第二光電二極管上;和
每個(gè)微透鏡沿著所述第二軸覆蓋在每個(gè)濾光器陣列的第一濾光器元件和第二濾光器元件上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置,還包括沿著所述第二軸覆蓋在所述多個(gè)微透鏡上的照相機(jī)透鏡,
其中,每個(gè)濾光器陣列的面向所述照相機(jī)透鏡的表面和所述照相機(jī)透鏡的出射光瞳位于每個(gè)微透鏡的共軛位置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,覆蓋在每個(gè)像素單元上的第一濾光器元件和第二濾光器元件被配置為將可見光的不同顏色分量分別傳遞到每個(gè)像素單元的第一光電二極管和第二光電二極管。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置,其中,每個(gè)濾光器陣列的第一濾光器元件和第二濾光器元件基于拜耳圖案來布置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,所述第一濾光器元件被配置為使可見光的一種或更多種顏色分量通過;和
其中,所述第二濾光器元件被配置為使紅外光通過。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,所述多個(gè)濾光器陣列的第一濾光器元件基于拜耳圖案來布置。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,其中,所述第一濾光器元件包括沿著所述第二軸形成堆疊的第一濾光器和第二濾光器。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,還包括在覆蓋在像素單元上的相鄰濾光器元件之間以及在覆蓋在相鄰像素單元上的相鄰濾光器元件之間的分隔壁。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置,其中,所述分隔壁被配置為將從每個(gè)微透鏡進(jìn)入每個(gè)濾光器陣列的濾光器元件的光朝向其上覆蓋有所述濾光器元件的光電二極管反射。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置,其中,所述分隔壁包括金屬材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,還包括置于所述多個(gè)濾光器陣列和所述半導(dǎo)體襯底之間的光學(xué)層;
其中,所述光學(xué)層包括以下中的至少一個(gè):抗反射層,或被配置為將紅外光導(dǎo)向所述第一光電二極管或所述第二光電二極管中的至少一個(gè)的微金字塔圖案。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置,還包括置于每個(gè)像素單元的相鄰光電二極管和相鄰像素單元的相鄰光電二極管之間的隔離結(jié)構(gòu)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





