[發(fā)明專利]基板處理裝置、半導(dǎo)體裝置的制造方法及程序

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201980057746.7
• 申請日: 2019-03-11
• 公開（公告）號: CN112640063A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 竹田剛
• 申請（專利權(quán)）人: 株式會社國際電氣
• 主分類號: H01L21/31
• 分類號: H01L21/31;C23C16/505;H01L21/318;H05H1/46
• 代理公司: 北京銀龍知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 金成哲;鄭毅

1.一種基板處理裝置，其特征在于，具有：

處理室，其對基板進行處理；

氣體供給系統(tǒng)，其對上述處理室內(nèi)供給處理氣體；

第一等離子體單元，其設(shè)置為卷繞在上述處理室的外周，并在上述處理室內(nèi)生成上述處理氣體的等離子體；以及

第二等離子體單元，其設(shè)置為在上述處理室的上部向內(nèi)部突出，并在上述處理室內(nèi)生成上述處理氣體的等離子體。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

上述第二等離子體單元具有：絕緣部件，其設(shè)置為向上述處理室的上部的內(nèi)部突出；以及線圈，其以沿著上述絕緣部件的方式設(shè)置。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

利用由導(dǎo)電性的金屬板構(gòu)成的圓筒體或長方體形狀的電磁波屏蔽體來屏蔽上述第二等離子體單元。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于，

設(shè)置于上述第二等離子體單元的上述線圈呈被上述絕緣部件保護的導(dǎo)電性的U字形。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的基板處理裝置，其特征在于，

從高頻電源向上述第二等離子體單元供給的高頻電力經(jīng)由與線圈的一端連接的匹配器、以及與上述線圈的另一端和上述電磁波屏蔽體連接的接地部而向上述線圈供給。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

上述第一等離子體單元由導(dǎo)電性的螺旋形狀的線圈、和導(dǎo)電性的圓筒體形狀的電磁波屏蔽體構(gòu)成。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板處理裝置，其特征在于，

上述導(dǎo)電性的螺旋形狀的線圈是以一端到另一端之間的預(yù)定位置的上述線圈的卷繞直徑與其它位置的上述線圈的卷繞直徑不同的方式形成的線圈。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板處理裝置，其特征在于，

從高頻電源向上述第一等離子體單元供給的高頻電力經(jīng)由與上述線圈的兩端連接的匹配器、以及與上述線圈的中間附近和上述電磁波屏蔽體連接的接地部而向上述線圈供給。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，

在上述第一等離子體單元設(shè)置有永久磁鐵。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的基板處理裝置，其特征在于，

在設(shè)置于上述第一等離子體單元的線圈的上下設(shè)置上述永久磁鐵。

11.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具有：

向基板處理裝置的上述處理室內(nèi)搬入上述基板的工序，其中，該基板處理裝置具有：處理室，其對基板進行處理；氣體供給系統(tǒng)，其對上述處理室內(nèi)供給處理氣體；第一等離子體單元，其設(shè)置為卷繞在上述處理室的外周，并在上述處理室內(nèi)生成上述處理氣體的等離子體；以及第二等離子體單元，其設(shè)置為在上述處理室的上部向內(nèi)部突出，并在上述處理室內(nèi)生成上述處理氣體的等離子體；

向上述處理室內(nèi)供給上述處理氣體的工序；

利用上述第一等離子體單元和上述第二等離子體單元在上述處理室內(nèi)的上述基板上生成上述處理氣體的等離子體的工序；以及

從上述處理室搬出上述基板的工序。

12.一種程序，其特征在于，利用計算機使上述基板處理裝置執(zhí)行以下步驟，即：

向基板處理裝置的上述處理室內(nèi)搬入上述基板的步驟，其中，該基板處理裝置具有：處理室，其對基板進行處理；氣體供給系統(tǒng)，其對上述處理室內(nèi)供給處理氣體；第一等離子體單元，其設(shè)置為卷繞在上述處理室的外周，并在上述處理室內(nèi)生成上述處理氣體的等離子體；以及第二等離子體單元，其設(shè)置為在上述處理室的上部向內(nèi)部突出，并在上述處理室內(nèi)生成上述處理氣體的等離子體；

向上述處理室內(nèi)供給上述處理氣體的步驟；

利用上述第一等離子體單元和上述第二等離子體單元在上述處理室內(nèi)的上述基板上生成上述處理氣體的等離子體的步驟；以及

從上述處理室搬出上述基板的步驟。