[發(fā)明專利]使用感測(cè)封裝體內(nèi)的觸摸電極進(jìn)行設(shè)備激活的設(shè)備、系統(tǒng)和相關(guān)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201980057664.2
• 申請(qǐng)日: 2019-08-14
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112639416B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-07-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: P·S·奧爾克
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 微芯片技術(shù)股份有限公司
• 主分類號(hào): G01F23/263
• 分類號(hào): G01F23/263;G01N9/00
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 陳斌

1.一種潛水式傳感器，包括：

不透流體的外殼，所述不透流體的外殼包括：

外表面；和

內(nèi)表面，所述內(nèi)表面與所述外表面相對(duì)；

電極，所述電極可操作地聯(lián)接到所述不透流體的外殼的所述內(nèi)表面；和

處理器，所述處理器設(shè)置在所述不透流體的外殼內(nèi)并且可操作地聯(lián)接到所述電極，所述處理器被配置為：

檢測(cè)所述電極處的電容變化；

響應(yīng)于所檢測(cè)的電容變化中的第一所檢測(cè)的電容變化來(lái)檢測(cè)第一介質(zhì)的第一屬性；

響應(yīng)于所檢測(cè)的電容變化中的第二所檢測(cè)的電容變化來(lái)檢測(cè)第二介質(zhì)的第二屬性；以及

響應(yīng)于所述第一屬性和所述第二屬性之間的差而激活一個(gè)或多個(gè)操作模式。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的潛水式傳感器，其中所述第一屬性為所述第一介質(zhì)的流體密度，并且所述第二屬性為所述第二介質(zhì)的流體密度。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的潛水式傳感器，其中所述電極包括電容電極。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的潛水式傳感器，其中所述一個(gè)或多個(gè)操作模式包括功率開(kāi)模式、功率關(guān)模式、低功率模式和感測(cè)模式。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的潛水式傳感器，其中所述一個(gè)或多個(gè)操作模式包括第一感測(cè)模式和不同于所述第一感測(cè)模式的第二感測(cè)模式。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的潛水式傳感器，其中第一操作模式能夠以第一感測(cè)頻率操作，并且第二操作模式能夠以第二感測(cè)頻率操作。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的潛水式傳感器，其中所述處理器選自由以下項(xiàng)組成的組：微控制器和微處理器。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的潛水式傳感器，其中所述不透流體的外殼不包括從所述外表面延伸到所述內(nèi)表面的端口。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的潛水式傳感器，其中所述不透流體的外殼不包括從所述內(nèi)表面物理地延伸到所述外表面的部件。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的潛水式傳感器，其中所述第一介質(zhì)的所述第一屬性選自由以下項(xiàng)組成的組：所述第一介質(zhì)的介電常數(shù)和所述第一介質(zhì)的流體密度。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的潛水式傳感器，其中所述第二介質(zhì)的所述第二屬性選自由以下項(xiàng)組成的組：所述第二介質(zhì)的介電常數(shù)和所述第二介質(zhì)的流體密度。

12.一種用于激活如權(quán)利要求1-11中的任一項(xiàng)所述的潛水式傳感器的方法，包括：

檢測(cè)可操作地聯(lián)接到不透流體的外殼的內(nèi)表面的電極處的電容變化；

響應(yīng)于所檢測(cè)的電容變化中的第一所檢測(cè)的電容變化來(lái)檢測(cè)第一介質(zhì)的第一屬性；

響應(yīng)于所檢測(cè)的電容變化中的第二所檢測(cè)的電容變化來(lái)檢測(cè)第二介質(zhì)的第二屬性；以及

響應(yīng)于所述第一屬性和所述第二屬性之間的差而激活一個(gè)或多個(gè)操作模式。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，所述方法進(jìn)一步包括：

檢測(cè)指示人類觸摸的電容；以及

響應(yīng)于指示所述人類觸摸的所述電容，放棄激活一個(gè)或多個(gè)操作模式。

14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，所述方法進(jìn)一步包括：

基于所述第一所檢測(cè)的電容變化確定所述第一介質(zhì)；以及

基于所述第二所檢測(cè)的電容變化確定所述第二介質(zhì)。