[發明專利]使用鎵的離子植入工藝及設備有效
| 申請號： | 201980057575.8 | 申請日： | 2019-09-11 |
| 公開（公告）號： | CN112655066B | 公開（公告）日： | 2022-04-01 |
| 發明（設計）人： | J·D·斯威尼;J·R·德普雷斯;唐瀛;S·N·葉達弗;E·E·約內斯;O·比爾 | 申請（專利權）人： | 恩特格里斯公司 |
| 主分類號： | H01J27/20 | 分類號： | H01J27/20;H01J37/08;H01J37/317 |
| 代理公司： | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人： | 李婷 |
| 地址： | 美國馬*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 使用 離子 植入 工藝 設備 | ||
1.一種能夠產生鎵離子的離子源設備，所述設備包括：
電弧腔，其包含由包含側壁、底部及頂部的內表面界定的內部；及
可消耗結構，其安置在所述電弧腔中，其中所述可消耗結構包括安置在所述內部中并且覆蓋所述內表面中的一或多者的一或多個含鎵片狀結構，所述一或多個含鎵片狀結構包括氮化鎵、氧化鎵或其組合。
2.根據權利要求1所述的設備，其中所述一或多個含鎵片狀結構可從所述電弧腔的所述內部移除。
3.根據權利要求1所述的設備，其中所述一或多個含鎵片狀結構包括至少80重量％的氮化鎵。
4.根據權利要求1所述的設備，其中所述一或多個含鎵片狀結構包括至少80重量％的氧化鎵。
5.根據權利要求1所述的設備，其中所述一或多個含鎵片狀結構包括至少80重量％的氧化鎵及氮化鎵的組合。
6.根據權利要求1所述的設備，其中所述內部含有：
一或多個含鎵片狀結構包括至少80重量％的氮化鎵，及
一或多個含鎵片狀結構包括至少80重量％的氧化鎵。
7.根據權利要求1所述的設備，其中所述一或多個含鎵片狀結構覆蓋所述腔的所述內表面的總面積的從5％到80％。
8.根據權利要求1所述的設備，其中所述氮化鎵、氧化鎵或其組合含有基于所述氮化鎵、氧化鎵或其組合中的鎵的總量(原子)的大于60％的69Ga。
9.根據權利要求1所述的設備，其中所述氮化鎵、氧化鎵或其組合中的69Ga的量是在基于所述氮化鎵、氧化鎵或其組合中的鎵的總量(原子)的從65％到100％的范圍內。
10.根據權利要求1所述的設備，其中所述氮化鎵、氧化鎵或其組合含有基于所述氮化鎵、氧化鎵或其組合中的鎵的總量(原子)的大于40％的71Ga。
11.根據權利要求1所述的設備，其中所述氮化鎵、氧化鎵或其組合中的71Ga的量是在基于所述氮化鎵、氧化鎵或其組合中的鎵的總量(原子)的從45％到100％的范圍內。
12.根據權利要求1所述的設備，其包括與所述內表面流體連通的反應氣體源。
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