[發(fā)明專利]清掃方法、半導(dǎo)體裝置的制造方法、程序和基板處理裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201980057139.0
• 申請(qǐng)日: 2019-08-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112640062A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李根;山崎裕久;壽崎健一;竹林雄二
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社國(guó)際電氣
• 主分類號(hào): H01L21/31
• 分類號(hào): H01L21/31;C23C16/44;H01L21/3065;H01L21/316
• 代理公司: 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 陳彥;李宏軒

1.一種清掃方法，通過(guò)分別進(jìn)行下述工序(a)～(h)1次以上，并使(c)中的含氧氣體的供給量與(g)中的含氧氣體的供給量不同，將在處理容器內(nèi)附著的氧化膜除去：

(a)向附著有氧化膜的處理容器內(nèi)在第一壓力下供給含氯氣體的工序，

(b)對(duì)所述處理容器內(nèi)進(jìn)行排氣的工序，

(c)向所述處理容器內(nèi)供給含氧氣體的工序，

(d)對(duì)所述處理容器內(nèi)進(jìn)行排氣的工序，

(e)向所述處理容器內(nèi)在比所述第一壓力低的第二壓力下供給所述含氯氣體的工序，

(f)對(duì)所述處理容器內(nèi)進(jìn)行排氣的工序，

(g)向所述處理容器內(nèi)供給所述含氧氣體的工序，

(h)對(duì)所述處理容器內(nèi)進(jìn)行排氣的工序。

2.如權(quán)利要求1所述的清掃方法，其中，

使(g)中的所述含氧氣體的供給量比(c)中的所述含氧氣體的供給量小。

3.如權(quán)利要求1所述的清掃方法，其中，

使(g)中的所述含氧氣體的供給時(shí)間比(c)中的所述含氧氣體的供給時(shí)間短。

4.如權(quán)利要求1所述的清掃方法，其中，

在反復(fù)進(jìn)行預(yù)定次數(shù)的(a)～(d)后，反復(fù)進(jìn)行預(yù)定次數(shù)的(e)～(h)。

5.如權(quán)利要求1所述的清掃方法，其中，

在進(jìn)行(e)～(h)后，進(jìn)行(a)～(d)。

6.如權(quán)利要求1所述的清掃方法，其中，

在反復(fù)進(jìn)行2次(a)～(d)后，進(jìn)行(e)～(h)。

7.如權(quán)利要求1所述的清掃方法，其中，

在進(jìn)行(a)～(d)后，反復(fù)進(jìn)行2次以上的(e)～(h)。

8.如權(quán)利要求1所述的清掃方法，其中，

在(a)和(e)之間，在所述第一壓力和所述第二壓力的中間的第三壓力下，進(jìn)行向所述處理容器內(nèi)供給所述含氯氣體的工序。

9.如權(quán)利要求1所述的清掃方法，其中，

所述含氯氣體含有C或S。

10.如權(quán)利要求1所述的清掃方法，其中，

所述含氯氣體具有雙鍵。

11.如權(quán)利要求1所述的清掃方法，其中，

所述含氯氣體含有COCl₂和SOCl₂中的至少一種。

12.如權(quán)利要求1所述的清掃方法，其中，

在(a)的所述含氯氣體的供給中減小所述處理容器內(nèi)的排氣流量，或者，在(e)的所述含氯氣體的供給中減小所述處理容器內(nèi)的排氣流量。

13.如權(quán)利要求1所述的清掃方法，其中，

在(a)和(e)中，使所述含氯氣體活性化。

14.如權(quán)利要求1所述的清掃方法，其中，

所述含氧氣體含有O₂、O₂等離子體、H₂O、H₂O₂、N₂O和O₃中的至少一種。

15.如權(quán)利要求1所述的清掃方法，其中，

所述氧化膜是高介電常數(shù)氧化膜。