[發(fā)明專利]基板處理方法及基板處理裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201980056746.5
• 申請(qǐng)日: 2019-07-22
• 公開（公告）號(hào): CN112640059A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 山口侑二
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社斯庫林集團(tuán)
• 主分類號(hào): H01L21/306
• 分類號(hào): H01L21/306;H01L21/304
• 代理公司: 隆天知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 72003
• 代理人: 金輝;崔炳哲

在本發(fā)明的基板處理方法中，對(duì)具有包含凹部(92)的圖案(PT)的基板(W)進(jìn)行處理。基板處理方法包括處理步驟(S1)、去除步驟(S2)、及蝕刻步驟(S3)。在處理步驟(S1)中，利用處理液處理基板(W)。在處理步驟(S1)之后，在去除步驟(S2)中，將進(jìn)入凹部(92)的處理液自基板(W)去除。在去除步驟(S2)之后，在蝕刻步驟(S3)中，利用蝕刻液對(duì)基板(W)進(jìn)行蝕刻。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明關(guān)于基板處理方法及基板處理裝置。

背景技術(shù)

專利文獻(xiàn)1所記載的基板處理裝置具備濕式處理單元。濕式處理單元執(zhí)行濕式蝕刻處理。具體而言，濕式蝕刻處理包含晶圓搬入步驟、旋轉(zhuǎn)開始步驟、自然氧化膜去除步驟、第一沖洗步驟、犧牲膜預(yù)蝕刻步驟、第二沖洗步驟、干燥步驟、及晶圓搬出步驟。

執(zhí)行晶圓搬入步驟及旋轉(zhuǎn)開始步驟后，在自然氧化膜去除步驟中，向晶圓的表面供給DHF(稀氫氟酸)，將自然氧化膜從晶圓去除。而且，在第一沖洗步驟中，向晶圓的表面供給沖洗液，沖洗自然氧化膜的殘留物。進(jìn)而，在犧牲膜預(yù)蝕刻步驟中，向晶圓的表面供給蝕刻液，將犧牲膜的一部分從晶圓去除。具體而言，在晶圓的表面形成有包含凹部的圖案。而且，在犧牲膜預(yù)蝕刻步驟中，使蝕刻液進(jìn)入至凹部，去除形成在圖案與硅基板之間的犧牲膜的一部分。然后，執(zhí)行第二沖洗步驟、干燥步驟、及晶圓搬出步驟。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2015-88619號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明要解決的問題

然而，在專利文獻(xiàn)1所記載的基板處理裝置中，在執(zhí)行犧牲膜預(yù)蝕刻步驟時(shí)，在第一沖洗步驟中所被供給的沖洗液可能會(huì)殘留在形成于晶圓的表面的圖案的凹部。

尤其是近年來，形成于基板的圖案的微細(xì)化不斷發(fā)展，圖案的縱橫比(凹部的深度相對(duì)于寬度的比率)變高，或圖案的形狀變得復(fù)雜。因此，假如在沖洗液殘留于圖案的凹部的狀態(tài)下向凹部供給蝕刻液，則因沖洗液的影響而蝕刻液在凹部的深度方向上產(chǎn)生濃度梯度。具體而言，在初始供給蝕刻液時(shí)，蝕刻液的濃度會(huì)自凹部的較淺的位置向較深的位置逐漸降低。因此，為使蝕刻液滲透至凹部較深的位置，蝕刻液在濃度梯度的作用下而向沖洗液中的擴(kuò)散需要時(shí)間。其結(jié)果為，在沒有設(shè)定用于確保蝕刻液的擴(kuò)散時(shí)間的制程的情形下，存在對(duì)晶圓的蝕刻效果些許降低的可能性。

本發(fā)明是鑒于上述課題而完成的，其目的在于，提供一種能夠抑制對(duì)基板的蝕刻效果的降低的基板處理方法及基板處理裝置。

用于解決問題的手段

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施方式，在基板處理方法中，對(duì)具有包含凹部的圖案的基板進(jìn)行處理。基板處理方法包括：處理步驟，通過處理液處理上述基板；去除步驟，在上述處理步驟之后，將進(jìn)入上述凹部的上述處理液自上述基板去除；及蝕刻步驟，其在上述去除步驟之后，利用蝕刻液對(duì)上述基板進(jìn)行蝕刻。

在本發(fā)明的基板處理方法中，在上述去除步驟中優(yōu)選為干燥上述基板，從而去除進(jìn)入至上述凹部的上述處理液。

在本發(fā)明的基板處理方法中，上述處理步驟優(yōu)選為包含：藥液步驟，利用藥液處理上述基板；及沖洗步驟，通過作為上述處理液的沖洗液將上述藥液自上述基板沖走。

在本發(fā)明的基板處理方法中，在上述藥液步驟中優(yōu)選為通過上述藥液去除形成在上述基板的自然氧化膜。

在本發(fā)明的基板處理方法中，上述處理步驟、上述去除步驟及上述蝕刻步驟優(yōu)選為在具備多個(gè)槽的基板處理裝置的內(nèi)部執(zhí)行的一連串的步驟，而無需將上述基板取出至上述基板處理裝置的外部。

在本發(fā)明的基板處理方法中，在上述去除步驟中優(yōu)選為向多個(gè)上述槽中的收納有上述基板的槽內(nèi)供給水溶性有機(jī)溶劑的蒸氣，并通過對(duì)上述槽內(nèi)進(jìn)行減壓，而干燥上述基板。