[發明專利]二極管

在審

• 申請號: 201980056661.7
• 申請日: 2019-08-14
• 公開（公告）號: CN112640132A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發明（設計）人: 深作克彥
• 申請（專利權）人: 索尼半導體解決方案公司
• 主分類號: H01L29/861
• 分類號: H01L29/861;B82Y10/00;H01L29/06;H01L29/868
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 吳孟秋

1.一種二極管，包括：

堆疊結構體；

第一連接部，設置在所述堆疊結構體的長度方向上的一端；

第二連接部，設置在所述堆疊結構體的長度方向上的另一端，

所述堆疊結構體包含第一結構體和第二結構體，所述第一結構體具有納米線結構或納米片結構，所述第二結構體具有納米線結構或納米片結構，所述第二結構體由與構成所述第一結構體的材料不同的材料構成，所述第一結構體和所述第二結構體在厚度方向上交替堆疊，

所述第一連接部具有第一導電類型，

所述第二連接部具有不同于所述第一導電類型的第二導電類型，

所述二極管還包括：

控制電極部，形成為至少從所述堆疊結構體的頂部延伸到側表面，并且所述控制電極部與所述第一連接部以及所述第二連接部間隔開，

所述第一連接部和所述控制電極部電連接，或者所述第二連接部和所述控制電極部電連接。

2.根據權利要求1所述的二極管，其中，

所述堆疊結構體設置在基體上。

3.根據權利要求1所述的二極管，其中，

所述控制電極部形成為到達所述堆疊結構體的底面。

4.根據權利要求3所述的二極管，其中，

所述堆疊結構體設置在基體的上方。

5.根據權利要求2或3所述的二極管，其中，

所述基體包括硅半導體基板或SOI基板。

6.根據權利要求2或3所述的二極管，其中，

所述第一連接部和所述第二連接部設置在所述基體上。

7.根據權利要求2或3所述的二極管，其中，

設置了所述二極管的所述基體的區域具有所述第二導電類型，并且

所述第一連接部和所述控制電極部電連接。

8.根據權利要求1所述的二極管，其中，

所述第一導電類型是p型，并且

所述第二導電類型是n型。

9.根據權利要求1所述的二極管，其中，

所述第一結構體包含硅鍺，并且

所述第二結構體包含硅。

10.根據權利要求1所述的二極管，其中，

所述堆疊結構體包含本征半導體區。

11.根據權利要求1所述的二極管，其中，

所述堆疊結構體具有1×10¹⁸/cm³或更低的雜質濃度。

12.根據權利要求1所述的二極管，其中，

在所述控制電極部的面對所述第一連接部的側表面上以及所述控制電極部的面對所述第二連接部的側表面上形成有絕緣層。

13.根據權利要求1所述的二極管，其中，

所述控制電極部包含TiN、TaN、Al、TiAl或W。

14.一種二極管，包括：

堆疊結構體；

第一連接部，設置在所述堆疊結構體的長度方向上的一端；以及

第二連接部，設置在所述堆疊結構體的長度方向上的另一端，

所述堆疊結構體包含第一結構體和第二結構體，所述第一結構體具有納米線結構或納米片結構，所述第二結構體具有納米線結構或納米片結構，所述第二結構體由與構成所述第一結構體的材料不同的材料構成，所述第一結構體和所述第二結構體在厚度方向上交替堆疊，

所述第一連接部具有第一導電類型，

所述第二連接部具有不同于所述第一導電類型的第二導電類型，

所述堆疊結構體的與所述第一連接部接觸的第一部分具有所述第一導電類型，并且

所述堆疊結構體的與所述第二連接部接觸的第二部分具有所述第二導電類型。

15.根據權利要求14所述的二極管，其中，

所述堆疊結構體的所述第一部分與所述堆疊結構體的所述第二部分接觸。