[發明專利]具有延長壽命的約束環

在審

• 申請號: 201980056461.1
• 申請日: 2019-08-22
• 公開（公告）號: CN112640084A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發明（設計）人: 賈斯廷·查爾斯·卡尼夫
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: H01L21/687
• 分類號: H01L21/687;H01L21/67;H01L21/683;H01L21/3065
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 李獻忠;張華

1.一種用于襯底處理系統的約束環，所述約束環包含：

下壁、外壁和上壁，其限定在所述約束環內的等離子體區域：

第一多個槽，其形成于所述下壁內，其中所述第一多個槽提供在所述約束環內的所述等離子體區域和所述約束環外部的環境之間的流體連通；

凹部，其限定在所述下壁的下表面中；以及

下環，其設置在所述下表面的所述凹部內，其中所述下環包含第二多個槽，所述第二多個槽提供在所述約束環內的所述等離子體區域和在所述約束環外部的環境之間的經由所述第一多個槽的流體連通。

2.根據權利要求1所述的約束環，其中所述下壁包含第一材料，且所述下環包含不同于所述第一材料的第二材料。

3.根據權利要求2所述的約束環，其中所述第二材料具有比所述第一材料更大的對等離子體蝕刻的抗性。

4.根據權利要求2所述的約束環，其中所述第一材料包含硅，且所述第二材料包含陽極氧化鋁。

5.根據權利要求2所述的約束環，其中所述第一材料包含硅，且所述第二材料包含氧化釔(Y₂O₃)。

6.根據權利要求2所述的約束環，其中所述第二材料包含金剛石涂層。

7.根據權利要求6所述的約束環，其中使用化學氣相沉積將所述金剛石涂層沉積在所述下環上。

8.根據權利要求1所述的約束環，其中所述下環的厚度介于所述下壁的厚度的10％和50％之間。

9.根據權利要求1所述的約束環，其中所述下環包含多個區段。

10.根據權利要求9所述的約束環，其中所述區段之間的間隙與所述第二多個槽中的一者軸向地對準。

11.根據權利要求9所述的約束環，其中所述區段之間的間隙位于所述第二多個槽的相鄰槽之間。

12.根據權利要求1所述的約束環，其中圍繞所述下環的所述第二多個槽的相鄰槽之間的間隔是均勻的。

13.根據權利要求1所述的約束環，其中所述下環被配置成在所述凹部內旋轉。

14.根據權利要求11所述的約束環，其中所述下環被配置成：(i)設置在所述凹部內的第一位置，使得所述第二多個槽中的每一者與所述第一多個槽的相對應的一者軸向地對準；以及(ii)旋轉至所述凹部內的第二位置，使得所述第二多個槽中的每一者不與所述第一多個槽的所述相對應的一者軸向地對準。

15.一種用于調節約束環的傳導性的方法，所述約束環用于襯底處理系統，所述方法包含：

將下環提供至所述約束環的下壁內，其中所述約束環包含第一多個槽，并且所述下環包含第二多個槽，且其中所述下環相對于所述約束環是在第一徑向位置；

將所述下環相對于所述約束環從所述第一徑向位置調節至第二徑向位置以調節所述約束環的所述傳導性。

16.根據權利要求15所述的方法，其中在所述第一徑向位置，所述第二多個槽中的各個槽與所述第一多個槽中的各個槽軸向地對準。

17.根據權利要求16所述的方法，其中在所述第二徑向位置，所述第二多個槽中的所述各個槽不與所述第一多個槽中的所述各個槽軸向地對準。

18.根據權利要求15所述的方法，其中在所述襯底處理系統內執行預定數量的等離子體處理之后，將所述下環從所述第一徑向位置調節至所述第二徑向位置。

19.根據權利要求18所述的方法，其中所述預定數量的等離子體處理包含預定次數的蝕刻循環和預定時段的蝕刻中的至少一者。