[發明專利]薄膜晶體管陣列

在審

• 申請號: 201980056430.6
• 申請日: 2019-08-23
• 公開（公告）號: CN112640085A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發明（設計）人: 石崎守;兩澤克彥
• 申請（專利權）人: 凸版印刷株式會社
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;G09F9/30;H01L21/3205;H01L23/522;H01L29/786
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 牛玉婷

本發明提供一種消耗電力量小的薄膜晶體管陣列。薄膜晶體管陣列包含：列布線、行布線、電容器布線；以及多個像素，該多個像素沿第一方向以及第二方向以矩陣狀排列設置，具有薄膜晶體管等，多個像素形成M列N行的有效區域，薄膜晶體管的源極電極連接于列布線，柵極電極連接于行布線，漏極電極連接于像素電極，電容器電極連接于電容器布線，行布線為跨越沿第二方向排列的M個像素的長度，列布線為跨越沿第一方向排列的N/2個像素的長度，電容器布線為跨越沿第一方向排列的N個像素的長度。

技術領域

本發明涉及薄膜晶體管陣列。本發明的薄膜晶體管陣列能夠使用于顯示裝置。另外，本發明的薄膜晶體管陣列適合低消耗電力用途。

背景技術

以將半導體自身作為基板的晶體管、集成電路技術為基礎，在玻璃基板上制造非晶體硅(a－Si)、多晶硅(poly－Si)的薄膜晶體管(Thin Film Transistor：TFT)陣列，應用于液晶顯示器等。TFT發揮開關的作用，在通過向行布線(柵極布線)提供的選擇電壓而使TFT導通時，將向列布線(源極布線)提供的信號電壓寫入與漏極電極連接的像素電極。所寫入的電壓被保持于設于漏極電極或者像素電極與電容器電極之間的蓄積電容器。(在TFT陣列的情況下，源極與漏極的作用根據寫入電壓的極性而改變，因此動作中名稱不被決定。因此，為了方便而將一方稱作源極，將另一方稱作漏極，這樣來統一稱呼。在本發明中，將連接于布線的一方稱作源極，將連接于像素電極的一方稱作漏極。)

TFT陣列作為以液晶為顯示介質的液晶顯示裝置而發展了技術。近年來，開發出組合了薄膜晶體管陣列與電泳介質的電子紙張顯示裝置，被期待為比液晶更低消耗電力的顯示裝置。這是因為，一般的液晶顯示裝置只能在進行驅動的期間顯示，為了保持顯示需要繼續驅動，相對于此，電泳類型的電子紙張在驅動結束后也保持顯示，因此無需繼續驅動。

而且，公開了將電子紙張與作為個體識別技術的RFID組合而成為集裝箱的顯示部的技術(專利文獻1)。通過使保存于RFID的內容物數據顯示于顯示部，即使目視觀察也能夠確認數據。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2003－233786號公報

發明內容

發明將要解決的課題

在這種顯示裝置中，有使用內置的電池的電力進行重寫的類型、和將進行RFID的重寫的讀寫器的電波轉換為電力并使用該電力而進行重寫的類型。在每種類型中，重寫時的消耗電力量的減少都成為課題。在內置電池的顯示裝置中，若消耗電力量較大，則需要頻繁地進行電池更換。在使用RF電波的電力的顯示裝置中，若消耗電力量較大，則只能在電波強的近距離處進行重寫。

本發明是鑒于該現有技術的狀況而做出的，課題在于提供減小了消耗電力量的薄膜晶體管陣列。

用于解決課題的手段

用于解決上述課題的本發明的一方式為一種薄膜晶體管陣列，包含：絕緣基板；在絕緣基板上沿第一方向延伸的多個列布線、沿與第一方向正交的第二方向延伸的多個行布線、沿第一方向延伸的多個電容器布線；以及多個像素，沿第一方向以及第二方向以矩陣狀排列設置，具有薄膜晶體管、像素電極以及電容器電極，多個像素形成沿第一方向排列有N個并且沿第二方向排列有M個的、由M列N行(M、N是自然數)的矩陣構造構成的矩形狀的有效區域(能夠用于顯示的區域)，薄膜晶體管具有柵極電極、源極電極、漏極電極，源極電極連接于列布線，柵極電極連接于行布線，漏極電極連接于像素電極，電容器電極連接于電容器布線，行布線為跨越有效區域內沿第二方向排列的M個像素的長度，列布線為跨越有效區域內沿第一方向排列的N/2個像素的長度，電容器布線為與列布線不同的長度，并且為跨越有效區域內沿第一方向排列的N個像素的長度。

發明效果