[發(fā)明專利]攝像裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201980056428.9
• 申請(qǐng)日: 2019-10-17
• 公開（公告）號(hào): CN112640433A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 村上雅史;井上恭典;佐藤好弘;西村佳壽子
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 松下知識(shí)產(chǎn)權(quán)經(jīng)營(yíng)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H04N5/369
• 分類號(hào): H04N5/369;H01L27/146
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 高迪

攝像裝置(101)具備第1像素(11)。第1像素(11)具有光電轉(zhuǎn)換部(15)、第1電容元件(71)和第1晶體管(72)。光電轉(zhuǎn)換部(15)將入射光轉(zhuǎn)換為信號(hào)電荷。第1電容元件(71)包含至少在曝光的期間中與光電轉(zhuǎn)換部(15)電連接的第1端子(71a)、以及第2端子(71b)。第1晶體管(72)包含第1源極和第1漏極，第1源極及第1漏極中的一方與第2端子(71b)電連接，第1源極及第1漏極中的另一方被施加直流電位。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及攝像裝置。

背景技術(shù)

近年來，在攝像機(jī)、數(shù)字照相機(jī)、監(jiān)視相機(jī)及車載相機(jī)等各種產(chǎn)品領(lǐng)域中，攝像裝置被廣泛地使用。作為攝像裝置，例示出CCD(電荷耦合器件(Charge Coupled Device))型固體攝像元件及CMOS(互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(Complementary Metal OxideSemiconductor))型固體攝像元件。

在專利文獻(xiàn)1、2及3中記載了攝像裝置的例子。

在先技術(shù)文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)

專利文獻(xiàn)1:日本特開2006－217410號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)2:日本特開2012－147169號(hào)公報(bào)

專利文獻(xiàn)3:日本特開2006－148284號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的課題

本公開提供適于攝像裝置的靈敏度的變更的技術(shù)。

用于解決課題的手段

本公開提供：

一種攝像裝置，具備第1像素，

所述第1像素具備：

光電轉(zhuǎn)換部，將入射光轉(zhuǎn)換為信號(hào)電荷；

第1電容元件，包含至少在曝光的期間中與所述光電轉(zhuǎn)換部電連接的第1端子、以及第2端子；以及

第1晶體管，包含第1源極和第1漏極，所述第1源極及所述第1漏極中的一方與所述第2端子電連接，所述第1源極及所述第1漏極中的另一方被施加直流電位。

發(fā)明效果

本公開提供適于攝像裝置的靈敏度的變更的技術(shù)。

附圖說明

圖1是表示第1實(shí)施方式所涉及的攝像裝置的例示性的電路構(gòu)成的示意圖。

圖2是表示圖1所示的像素的例示性的電路構(gòu)成的示意圖。

圖3是表示比較例所涉及的電路構(gòu)成的示意圖。

圖4是用于說明第1實(shí)施方式所涉及的攝像裝置的第1模式下的晶體管的動(dòng)作的一例的定時(shí)圖。

圖5是用于說明第1實(shí)施方式所涉及的攝像裝置的第2模式下的晶體管的動(dòng)作的一例的定時(shí)圖。

圖6是表示變形例所涉及的電路構(gòu)成的示意圖。

圖7是表示第2實(shí)施方式所涉及的攝像裝置的例示性的電路構(gòu)成的示意圖。

圖8是表示圖7所示的像素的例示性的電路構(gòu)成的示意圖。

圖9是用于說明第2實(shí)施方式所涉及的攝像裝置的第1模式下的晶體管的動(dòng)作的一例的定時(shí)圖。

圖10是用于說明第2實(shí)施方式所涉及的攝像裝置的第2模式下的晶體管的動(dòng)作的一例的定時(shí)圖。

圖11是表示第3實(shí)施方式所涉及的攝像裝置的例示性的電路構(gòu)成的示意圖。