[發明專利]氮化物半導體基板、氮化物半導體基板的制造方法和層疊結構體有效
| 申請號： | 201980056200.X | 申請日： | 2019-08-22 |
| 公開（公告）號： | CN112639178B | 公開（公告）日： | 2022-10-14 |
| 發明（設計）人： | 吉田丈洋 | 申請（專利權）人： | 賽奧科思有限公司;住友化學株式會社 |
| 主分類號： | C30B29/38 | 分類號： | C30B29/38;C30B23/02 |
| 代理公司： | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 劉新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氮化物 半導體 制造 方法 層疊 結構 | ||
1.一種氮化物半導體基板，其具有2英寸以上的直徑，且具有最近的低指數晶面為(0001)面的主面，
隔著Ge(220)面的雙晶單色器和狹縫對所述主面照射Cu的Kα1的X射線，進行(0002)面衍射的X射線搖擺曲線測定時，
將所述狹縫的ω方向的寬度設為0.1mm時的所述(0002)面衍射的半值寬度FWHMb為32arcsec以下，
從將所述狹縫的ω方向的寬度設為1mm時的所述(0002)面衍射的半值寬度FWHMa減去FWHMb而得的差值FWHMa-FWHMb為FWHMa的30％以下。
2.根據權利要求1所述的氮化物半導體基板，其中，在所述主面內之中的1-100軸方向和11-20軸方向的分別以規定間隔設定的多個測定點處，FWHMa-FWHMb為FWHMa的30％以下。
3.根據權利要求1或2所述的氮化物半導體基板，其中，將所述狹縫的ω方向的寬度設為0.1mm時的所述(0002)面衍射的半值寬度FWHMb從所述主面的中心起至直徑29.6mm內為32arcsec以下。
4.根據權利要求1或2所述的氮化物半導體基板，其中，利用多光子激發顯微鏡以250μm見方的視野觀察所述主面，由暗點密度求出位錯密度時，遍及所述主面的95％以上，所述位錯密度小于1×106cm-2。
5.根據權利要求1或2所述的氮化物半導體基板，其中，所述主面以100個/cm2以上的密度具有不重疊的50μm見方的無位錯區域。
6.一種氮化物半導體基板，其具有2英寸以上的直徑，且具有最近的低指數晶面為(0001)面的主面，
利用多光子激發顯微鏡以250μm見方的視野觀察所述氮化物半導體基板的主面，由暗點密度求出位錯密度時，遍及所述主面的95％以上，所述位錯密度小于1×106cm-2，
所述主面以100個/cm2以上的密度具有不重疊的50μm見方的無位錯區域。
7.根據權利要求1或6所述的氮化物半導體基板，其氧濃度為5×1016cm-3以下。
8.根據權利要求1或6所述的氮化物半導體基板，其中，所述主面具有位錯密度為1.6×105cm-2以上且7.2×105cm-2以下的范圍內的低位錯密度區域。
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