[發明專利]氣相生長裝置

在審

• 申請號: 201980055815.0
• 申請日: 2019-07-19
• 公開（公告）號: CN112640045A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發明（設計）人: 醍醐佳明;矢島雅美;鈴木邦彥;石黑曉夫
• 申請（專利權）人: 紐富來科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205;C23C16/455
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 劉英華

實施方式的氣相生長裝置具備：反應室；第一氣體室，設置于反應室之上，被導入第一工藝氣體；以及多個第一氣體流路，從第一氣體室向反應室供給第一工藝氣體，多個第一氣體流路中的至少1個第一氣體流路具有第一區域和位于第一區域與反應室之間的第二區域，第一區域具有與第一工藝氣體的流動方向垂直的面中的第一開口截面積和上述方向的第一長度，第二區域具有與上述方向垂直的面中的第二開口截面積和上述方向的第二長度，第一開口截面積比第二開口截面積小，第一長度為第二長度以下。

技術領域

本發明涉及向基板供給氣體來進行膜的形成的氣相生長裝置。

背景技術

作為形成高品質的半導體膜的方法，存在通過氣相生長在基板的表面形成單晶膜的外延生長技術。在使用外延生長技術的氣相生長裝置中，將基板載置于保持為常壓或減壓的反應室之中的保持架。

然后，一邊加熱基板，一邊將包含膜的原料在內的工藝氣體從反應室的上部的氣體室經由氣體流路供給至反應室。在基板的表面發生工藝氣體的熱反應，在基板的表面形成外延單晶膜。

如果在反應室之中反復進行膜的生長，則反應生成物有時會堆積于氣體流路的反應室側的端部。若堆積的反應生成物的量變多，則氣體流路的開口截面積發生變化。當氣體流路的開口截面積發生變化時，工藝氣體向反應室的供給變得不穩定，膜的特性的再現性降低。因此，期望抑制工藝氣體向反應室的供給的不穩定化，提高膜的特性的再現性。

在專利文獻1中記載了一種氣相生長裝置，抑制在氣體流路的反應室側的端部處的氣體的蔓延，抑制由堆積物的附著引起的顆粒的產生。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2017-157678號公報

發明內容

發明解決的技術問題

本發明解決的技術問題在于提供一種能夠提高膜的特性的再現性的氣相生長裝置。

用于解決技術問題的手段

本發明的一個方式的氣相生長裝置具備：反應室；第一氣體室，設置于所述反應室之上，被導入第一工藝氣體；以及多個第一氣體流路，從所述第一氣體室向所述反應室供給所述第一工藝氣體，所述多個第一氣體流路中的至少1個第一氣體流路具有第一區域和位于所述第一區域與所述反應室之間的第二區域，所述第一區域具有與所述第一工藝氣體的流動方向垂直的面中的第一開口截面積和所述方向的第一長度，所述第二區域具有與所述方向垂直的面中的第二開口截面積和所述方向的第二長度，所述第一開口截面積比所述第二開口截面積小，所述第一長度為所述第二長度以下。

發明效果

根據本發明，能夠實現能夠提高膜的特性的再現性的氣相生長裝置。

附圖說明

圖1是第一實施方式的氣相生長裝置的示意剖視圖。

圖2是第一實施方式的第一氣體流路的示意剖視圖。

圖3是第一實施方式的第二氣體流路的示意剖視圖。

圖4是第一實施方式的氣相生長裝置的作用及效果的說明圖。

圖5是第一實施方式的氣相生長裝置的作用及效果的說明圖。

圖6是第一實施方式的氣相生長裝置的作用及效果的說明圖。

圖7是第一實施方式的氣相生長裝置的作用及效果的說明圖。

圖8是第二實施方式的第一氣體流路的示意剖視圖。

圖9是第三實施方式的氣相生長裝置的示意剖視圖。

具體實施方式

以下，參照附圖對本發明的實施方式進行說明。