[發明專利]熱電轉換材料的芯片的制造方法、以及使用了通過該制造方法得到的芯片的熱電轉換組件的制造方法

在審

• 申請號: 201980055211.6
• 申請日: 2019-08-27
• 公開（公告）號: CN112602202A
• 公開（公告）日: 2021-04-02
• 發明（設計）人: 加藤邦久;武藤豪志;戶高昌也;勝田祐馬
• 申請（專利權）人: 琳得科株式會社
• 主分類號: H01L35/34
• 分類號: H01L35/34;H01L35/08;H01L35/32
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 王利波

1.一種熱電轉換材料的芯片的制造方法，其是制造由熱電半導體組合物形成的熱電轉換材料的芯片的方法，該方法包括：

(A)在基板上形成犧牲層的工序；

(B)在所述(A)的工序中得到的所述犧牲層上形成由所述熱電半導體組合物形成的熱電轉換材料層的工序；

(C)對在所述(B)的工序中得到的所述熱電轉換材料層進行退火處理的工序；

(D)將在所述(C)的工序中得到的退火處理后的熱電轉換材料層轉印至粘合劑層的工序；

(E)將所述(D)的工序的熱電轉換材料層單片化為熱電轉換材料的芯片的工序；以及

(F)將在所述(E)的工序中得到的單片化后的熱電轉換材料的芯片剝離的工序。

2.根據權利要求1所述的熱電轉換材料的芯片的制造方法，其中，利用切割刀或激光進行所述將熱電轉換材料層單片化為熱電轉換材料的芯片的工序。

3.根據權利要求1或2所述的熱電轉換材料的芯片的制造方法，其包括：

對所述粘合劑層照射能量射線，使該粘合劑層對于所述熱電轉換材料層的粘合力、或者該粘合劑層對于所述熱電轉換材料的芯片的粘合力降低的工序。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的熱電轉換材料的芯片的制造方法，其中，所述犧牲層包含樹脂或脫模劑。

5.根據權利要求1～4中任一項所述的熱電轉換材料的芯片的制造方法，其中，所述犧牲層的厚度為10nm～10μm。

6.根據權利要求1～5中任一項所述的熱電轉換材料的芯片的制造方法，其中，所述基板為玻璃基板。

7.根據權利要求1～6中任一項所述的熱電轉換材料的芯片的制造方法，其中，所述退火處理在250～600℃的溫度下進行。

8.根據權利要求1～7中任一項所述的熱電轉換材料芯片的制造方法，其包括：

在所述(D)中經轉印后的熱電轉換材料層上、所述(E)中經單片化后的熱電轉換材料的芯片上、或所述(F)中經剝離后的熱電轉換材料的芯片上進一步形成焊料接收層的工序。

9.根據權利要求8所述的熱電轉換材料的芯片的制造方法，其中，所述焊料接收層包含金屬材料。

10.一種熱電轉換組件的制造方法，其是制造將多個熱電轉換材料的芯片組合而成的熱電轉換組件的方法，所述熱電轉換材料的芯片是通過權利要求1～7中任一項所述的熱電轉換材料的芯片的制造方法得到的，

該熱電轉換組件的制造方法包括：

(i)在第1樹脂膜上形成第1電極的工序；

(ii)在第2樹脂膜上形成第2電極的工序；

(iii)在所述(i)的工序中得到的所述第1電極上形成接合材料層1的工序；

(iv)將所述熱電轉換材料的芯片的一面載置于在所述(iii)的工序中得到的所述接合材料層1上的工序；

(v)將在所述(iv)的工序中載置的所述熱電轉換材料的芯片的一面隔著在所述(iii)的工序中得到的所述接合材料層1與所述第1電極接合的工序；以及

(vi)將所述(v)的工序后的所述熱電轉換材料的芯片的另一面隔著接合材料層2與在所述(ii)的工序中得到的所述第2電極接合的工序。