[發(fā)明專(zhuān)利]定子及包括該定子的電機(jī)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201980054779.6 | 申請(qǐng)日: | 2019-07-08 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112585841B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-06-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 元一植 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | LG伊諾特有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H02K1/04 | 分類(lèi)號(hào): | H02K1/04;H02K5/22 |
| 代理公司: | 北京鴻元知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11327 | 代理人: | 李琳;陳英俊 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 定子 包括 電機(jī) | ||
1.一種定子,包括:
定子芯,所述定子芯包括軛和從所述軛的內(nèi)表面突出的多個(gè)齒;
絕緣體,所述絕緣體圍繞所述定子芯的一部分;
線(xiàn)圈,所述線(xiàn)圈纏繞在所述絕緣體的周?chē)灰约?/p>
模制部,所述模制部設(shè)置成覆蓋所述定子芯、所述絕緣體以及所述線(xiàn)圈,
其中,所述絕緣體包括第一絕緣體和第二絕緣體,
所述第一絕緣體包括:
主體部,所述線(xiàn)圈纏繞在所述主體部的周?chē)?/p>
內(nèi)引導(dǎo)件,所述內(nèi)引導(dǎo)件從所述主體部的內(nèi)側(cè)沿與所述主體部的內(nèi)側(cè)垂直的方向延伸;
第一外引導(dǎo)件,所述第一外引導(dǎo)件從所述主體部的外側(cè)沿與所述主體部的外側(cè)垂直的方向延伸;
第二外引導(dǎo)件,所述第二外引導(dǎo)件設(shè)置成在向外方向上與所述第一外引導(dǎo)件間隔開(kāi);以及
突起,所述突起從所述第二外引導(dǎo)件向內(nèi)突出,
所述突起的端部設(shè)置成使得在所述端部與所述第一外引導(dǎo)件之間形成規(guī)定間隙G,并且
所述線(xiàn)圈的一部分經(jīng)由所述間隙G設(shè)置在所述第一外引導(dǎo)件與所述第二外引導(dǎo)件之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的定子,其中,所述突起的徑向方向上的寬度W1是所述線(xiàn)圈的外徑的0.6倍以上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的定子,其中,所述突起的周向方向上的寬度W2是所述線(xiàn)圈的所述外徑的兩倍以上。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的定子,其中,所述絕緣體包括設(shè)置在所述第一外引導(dǎo)件與所述第二外引導(dǎo)件之間的連接部,
其中,所述連接部設(shè)置在所述軛上,并且
從所述連接部到所述突起的高度H是所述線(xiàn)圈的所述外徑的三倍以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的定子,還包括與所述線(xiàn)圈的端部連接的端子,
其中,所述第二絕緣體包括:
主體部,所述線(xiàn)圈纏繞在所述主體部的周?chē)?/p>
第一外引導(dǎo)件,所述第一外引導(dǎo)件從所述主體部的外側(cè)沿與所述主體部的外側(cè)垂直的方向延伸;
第二外引導(dǎo)件,所述第二外引導(dǎo)件設(shè)置成在向外方向上與所述第一外引導(dǎo)件間隔開(kāi);以及
內(nèi)引導(dǎo)件,所述內(nèi)引導(dǎo)件從所述主體部的內(nèi)側(cè)沿與所述主體部的內(nèi)側(cè)垂直的方向延伸,并且
在所述內(nèi)引導(dǎo)件的上端形成有與所述端子的一側(cè)耦接的凹槽。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的定子,其中,所述端子包括:
端子主體;
引腳部,所述引腳部從所述端子主體的頂表面突出;
突出部,所述突出部從所述端子主體的底表面突出;以及
彎曲部,通過(guò)使所述端子主體的兩側(cè)中的每一側(cè)彎曲形成所述彎曲部,并且
所述突起耦接到所述凹槽。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的定子,其中,所述第二絕緣體基于周向方向設(shè)置在三個(gè)第一絕緣體之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的定子,其中,所述絕緣體通過(guò)注射方法設(shè)置在所述定子芯上。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的定子,其中,在所述線(xiàn)圈纏繞在所述絕緣體的周?chē)臓顟B(tài)下通過(guò)注射方法形成所述模制部。
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