[發(fā)明專利]在銀下方具有摻雜的晶種層的低-E可匹配涂覆制品以及對應(yīng)的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201980054746.1 | 申請日： | 2019-12-16 |
| 公開（公告）號： | CN112585100B | 公開（公告）日： | 2022-05-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 徐永利;布倫特·博伊斯;薩拉赫·布薩阿德;菲利普·林格爾;勞靜玉;理查德·韋爾納 | 申請（專利權(quán)）人： | 佳殿玻璃有限公司 |
| 主分類號： | C03C17/36 | 分類號： | C03C17/36 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責(zé)任公司 11021 | 代理人： | 吳勝周 |
| 地址： | 美國密*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 下方 具有 摻雜 晶種層 匹配 制品 以及 對應(yīng) 方法 | ||
1.一種涂覆制品，所述涂覆制品包括在玻璃基底上的涂層，其中所述涂層包括：
設(shè)置在所述玻璃基底上的第一結(jié)晶層，所述第一結(jié)晶層包含摻雜有1％-30％Sn(重量％)的氧化鋅；
包含銀的第一紅外(IR)反射層，所述第一紅外反射層位于所述玻璃基底上并且在所述包含摻雜有1％-30％Sn的氧化鋅的第一結(jié)晶層正上方并與其接觸；
其中沒有基于氮化硅的層位于所述包含摻雜有1％-30％Sn的氧化鋅的第一結(jié)晶層正下方并與其接觸；
至少一個電介質(zhì)層，所述至少一個電介質(zhì)層包含以下中的至少一種：(a)硅和鋯的氧化物，(b)鋯的氧化物，以及(c)硅的氧化物；以及
位于所述玻璃基底與最下層電介質(zhì)層之間的金屬吸收層；
其中包含(a)、(b)和(c)中的至少一種的所述至少一個電介質(zhì)層位于至少所述玻璃基底與所述包含摻雜有1％-30％Sn(重量％)的氧化鋅的第一結(jié)晶層之間，并且與所述包含摻雜有1％-30％Sn的氧化鋅的第一結(jié)晶層直接接觸；并且
其中所述涂覆制品被構(gòu)造成具有單片測量的以下中的至少兩個：(i)由于在650℃的溫度下進行參考熱處理12分鐘所致的不大于3.0的透射ΔE*值，(ii)由于在650℃的溫度下進行所述參考熱處理12分鐘所致的不大于3.0的玻璃側(cè)反射ΔE*值，以及(iii)由于在650℃的溫度下進行所述參考熱處理12分鐘所致的不大于3.5的膜側(cè)反射ΔE*值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的涂覆制品，其中所述涂覆制品被構(gòu)造成具有單片測量的以下中的全部三個：(i)由于在650℃的溫度下進行參考熱處理12分鐘所致的不大于3.0的透射ΔE*值，(ii)由于在650℃的溫度下進行所述參考熱處理12分鐘所致的不大于3.0的玻璃側(cè)反射ΔE*值，以及(iii)由于在650℃的溫度下進行所述參考熱處理12分鐘所致的不大于3.5的膜側(cè)反射ΔE*值。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的涂覆制品，所述涂覆制品還包括至少位于至少所述包含銀的第一IR反射層與包含銀的第二IR反射層之間的另一個電介質(zhì)層，所述另一個電介質(zhì)層包含(a)硅和鋯的氧化物、(b)鋯的氧化物和(c)硅的氧化物中的至少一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的涂覆制品，其中包含(a)、(b)和(c)中的至少一種的所述至少一個電介質(zhì)層包括第一層和第二層兩者，所述第一層包含以下中的至少一種：(a)硅和鋯的氧化物，(b)鋯的氧化物，和(c)硅的氧化物；所述第二層包含以下中的至少一種：(a)硅和鋯的氧化物，(b)鋯的氧化物，和(c)硅的氧化物；
其中所述第一層與所述包含摻雜有1％-30％Sn(重量％)的氧化鋅的第一結(jié)晶層直接接觸；并且
其中所述第二層位于至少所述包含銀的第一IR反射層與包含銀的第二IR反射層之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的涂覆制品，其中包含(a)、(b)和(c)中的至少一種的所述至少一個電介質(zhì)層包含鋯的氧化物。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的涂覆制品，其中所述包含氧化鋅的第一結(jié)晶層摻雜有1％-20％Sn(重量％)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的涂覆制品，其中所述包含氧化鋅的第一結(jié)晶層摻雜有5％-15％Sn(重量％)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的涂覆制品，其中所述包含摻雜有Sn的氧化鋅的第一結(jié)晶層是濺射沉積的結(jié)晶。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的涂覆制品，其中所述涂覆制品被構(gòu)造成具有單片測量的以下中的全部：(i)由于在650℃的溫度下進行參考熱處理12分鐘所致的不大于2.5的透射ΔE*值，(ii)由于在650℃的溫度下進行所述參考熱處理12分鐘所致的不大于2.5的玻璃側(cè)反射ΔE*值，以及(iii)由于在650℃的溫度下進行所述參考熱處理12分鐘所致的不大于3.0的膜側(cè)反射ΔE*值。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于佳殿玻璃有限公司，未經(jīng)佳殿玻璃有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201980054746.1/1.html，轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
