[發(fā)明專利]納米線發(fā)光開關(guān)裝置及其方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201980054562.5 | 申請日： | 2019-08-22 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN113646894A | 公開（公告）日： | 2021-11-12 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 馬修·哈滕斯維爾德;張菁 | 申請（專利權(quán)）人： | 馬修·哈滕斯維爾德;張菁 |
| 主分類號(hào)： | H01L27/28 | 分類號(hào)： | H01L27/28;H01L29/06;H01L29/786;H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京高沃律師事務(wù)所 11569 | 代理人： | 楊媛媛 |
| 地址： | 美國新澤*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 納米 發(fā)光 開關(guān) 裝置 及其 方法 | ||
1.一種納米線系統(tǒng)，所述納米線系統(tǒng)包括：
襯底；
至少一個(gè)納米線結(jié)構(gòu)，所述至少一個(gè)納米線結(jié)構(gòu)沿著軸從所述襯底的表面向外延伸，所述納米線結(jié)構(gòu)包括：
發(fā)光二極管；
裝置驅(qū)動(dòng)器，所述裝置驅(qū)動(dòng)器被電耦合以控制所述發(fā)光二極管的操作狀態(tài)，其中所述發(fā)光二極管與所述裝置驅(qū)動(dòng)器被集成以彼此共用至少一個(gè)摻雜區(qū)。
2.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述共用的至少一個(gè)摻雜區(qū)包括GaN層，所述GaN層包括所述發(fā)光二極管的陰極區(qū)和所述裝置驅(qū)動(dòng)器的漏極區(qū)。
3.如權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其中所述發(fā)光二極管還包括陽極區(qū)，所述陽極區(qū)電耦合至包括所述陰極區(qū)的所述GaN層，并且所述裝置驅(qū)動(dòng)器包括溝道區(qū)，所述溝道區(qū)電耦合在源極區(qū)與包括所述漏極區(qū)的所述GaN層之間。
4.如權(quán)利要求3所述的系統(tǒng)，其中所述源極區(qū)和所述溝道區(qū)各自包括另一個(gè)GaN層。
5.如權(quán)利要求2所述的系統(tǒng)，其中所述發(fā)光二極管的所述陰極區(qū)與所述裝置驅(qū)動(dòng)器的所述漏極區(qū)共用共同的外部連接。
6.如權(quán)利要求3所述的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)還包括柵極金屬層，所述柵極金屬層電耦合至所述裝置驅(qū)動(dòng)器的所述溝道區(qū)的周邊的至少一部分。
7.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述至少一個(gè)納米線結(jié)構(gòu)包括兩個(gè)或更多個(gè)納米線結(jié)構(gòu)，并且所述裝置驅(qū)動(dòng)器中的每一者的源極區(qū)是共用的源極區(qū)。
8.如權(quán)利要求7所述的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)還包括柵極金屬層，所述柵極金屬層與兩個(gè)或更多個(gè)納米線結(jié)構(gòu)的溝道區(qū)電耦合。
9.如權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)還包括透明導(dǎo)電膜層，所述透明導(dǎo)電膜層將多個(gè)相鄰的納米線結(jié)構(gòu)電耦合在一起。
10.如權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中所述多個(gè)相鄰的納米線結(jié)構(gòu)是通過所述透明導(dǎo)電膜層和所述柵極金屬層電耦合。
11.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述至少一個(gè)納米線結(jié)構(gòu)的最大截面尺寸小于約10微米。
12.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述至少一個(gè)納米線結(jié)構(gòu)的最大截面尺寸小于約3微米。
13.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)還包括與源極區(qū)相鄰并電連接至所述源極區(qū)的基于Ni的金屬漏極接觸層和基于Ti的金屬層。
14.如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述發(fā)光二極管還包括在所述LED的發(fā)光部分上的改變光譜發(fā)射的一個(gè)或多個(gè)材料層。
15.如權(quán)利要求14所述的系統(tǒng)，其中所述一個(gè)或多個(gè)層包括顏色轉(zhuǎn)換器。
16.一種制造納米線系統(tǒng)的方法，所述方法包括：
提供襯底；
形成至少一個(gè)納米線結(jié)構(gòu)，所述至少一個(gè)納米線結(jié)構(gòu)沿著軸從所述襯底的表面向外延伸，所述納米線結(jié)構(gòu)包括：
發(fā)光二極管；
裝置驅(qū)動(dòng)器，所述裝置驅(qū)動(dòng)器被電耦合以控制所述發(fā)光二極管的操作狀態(tài)，其中所述發(fā)光二極管與所述裝置驅(qū)動(dòng)器被集成以彼此共用至少一個(gè)摻雜區(qū)。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中所述共用的至少一個(gè)摻雜區(qū)包括GaN層，所述GaN層包括所述發(fā)光二極管的陰極區(qū)和所述裝置驅(qū)動(dòng)器的漏極區(qū)。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中所述發(fā)光二極管還包括陽極區(qū)，所述陽極區(qū)電耦合至包括所述陰極區(qū)的所述GaN層，并且所述裝置驅(qū)動(dòng)器包括溝道區(qū)，所述溝道區(qū)電耦合在源極區(qū)與包括所述漏極區(qū)的所述GaN層之間。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
