[發(fā)明專利]82 在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201980054271.6 | 申請(qǐng)日: | 2019-08-22 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112867442A | 公開(公告)日: | 2021-05-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 羅伯特·威廉·里多克;艾蒂安·萊福特;保羅·唐納利;里卡多·桑托佩特羅;托馬斯·艾倫·摩爾 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 朱布蘭特德拉西梅公司 |
| 主分類號(hào): | A61B6/00 | 分類號(hào): | A61B6/00;A61N5/00;G21G1/00;G21G4/00;G21G4/04;G21G4/08;F04B49/00 |
| 代理公司: | 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219 | 代理人: | 車文;趙曉祎 |
| 地址: | 加拿大*** | 國(guó)省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | base sup 82 | ||
公開了提供若干優(yōu)點(diǎn)的銣洗脫系統(tǒng)的新配置。本公開的銣洗脫系統(tǒng)包括組件,該組件包括82Sr/82Rb發(fā)生器、活性檢測(cè)器、廢物容器、泵、傳感器、管道回路、至少一個(gè)閥,其中廢物容器位于組件的下部。更具體地,廢物容器隔室的頂表面或者在發(fā)生器隔室的頂表面之下,或者廢物容器與發(fā)生器在相同的高度處或者在泵之下。
本申請(qǐng)要求享有2018年8月22日提交的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)62/721,033的優(yōu)先權(quán)權(quán)益,其全部?jī)?nèi)容通過引用合并于此。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開總體上涉及核醫(yī)學(xué),并且特別涉及82Sr/82Rb洗脫系統(tǒng)。
背景技術(shù)
本文公開的主題涉及具有短半衰期的放射性藥物物質(zhì),例如銣(82Rb)。銣(82Rb)用作正電子發(fā)射斷層掃描(PET)示蹤劑,用于無創(chuàng)測(cè)定心肌灌注(血流)。
典型的82Sr/82Rb洗脫系統(tǒng)包括無菌鹽溶液(例如0.9%氯化鈉注射液)儲(chǔ)器、一個(gè)或多個(gè)泵以從該儲(chǔ)器中抽出無菌鹽溶液、在溶液中產(chǎn)生放射性同位素的源、放射性檢測(cè)器以測(cè)量不同同位素的活性、劑量校準(zhǔn)器、廢物容器、輸液管組件組、一個(gè)或多個(gè)傳感器、計(jì)算機(jī)以及用于移動(dòng)洗脫系統(tǒng)的平臺(tái)上的屏蔽罩。在這種系統(tǒng)的操作過程中,泵將鹽溶液從儲(chǔ)器中移出并通過發(fā)生器,以洗脫以82RbCl形式洗脫的82Rb,并調(diào)節(jié)無菌鹽溶液到旁路的流量。然后,將離開發(fā)生器的放射性溶液通過患者出口輸注到要診斷的患者中。如本領(lǐng)域技術(shù)人員所知,82Rb是由82Sr的放射性衰變產(chǎn)生的,因此在任何給定時(shí)間82Rb的產(chǎn)生速率是發(fā)生器中剩余82Sr活性的函數(shù)。82Rb的產(chǎn)生速率在發(fā)生器的整個(gè)使用壽命中呈指數(shù)下降,與82Sr的半衰期直接相關(guān)。
洗脫系統(tǒng)中的各種屏蔽和非屏蔽部件在提供所需劑量、確保安全和易于清潔環(huán)境方面發(fā)揮著作用。像和的所有已知的82Sr/82Rb發(fā)生器系統(tǒng)具有廢物容器,其在它們各自的結(jié)構(gòu)的頂部上,并且在相對(duì)于發(fā)生器和/或泵更高的高度處。本發(fā)明人已經(jīng)確定了洗脫系統(tǒng)的替代構(gòu)造,其提供了幾個(gè)優(yōu)點(diǎn)。
發(fā)明內(nèi)容
本公開的目的是提供銣洗脫系統(tǒng)的新構(gòu)造,其中廢物容器位于包含系統(tǒng)的各種部件的組件的下部,例如在比泵低的高度處、與發(fā)生器的高度相同、或位于容納廢物容器的隔室的頂表面低于容納發(fā)生器的隔室的頂表面的高度的高度處。本公開的另一個(gè)目的是提供適于銣洗脫系統(tǒng)的這些新構(gòu)造的安全裝置。
本公開的另一個(gè)目的是提供用于制造銣洗脫系統(tǒng)的所述新構(gòu)造的方法。
本公開涉及以下任何一項(xiàng):
項(xiàng)1.銣洗脫系統(tǒng),其包括組件,所述組件包括82Sr/82Rb發(fā)生器、活性檢測(cè)器、廢物容器、泵、傳感器、管道回路和至少一個(gè)閥;其中:
-所述組件具有下部和上部,并且
-所述廢物容器位于所述組件的下部。
項(xiàng)2.項(xiàng)1的銣洗脫系統(tǒng),其中所述下部由所述組件的下部三分之二組成。
項(xiàng)3.項(xiàng)2的銣洗脫系統(tǒng),其中所述下部由所述組件的下部一半組成。
項(xiàng)4.項(xiàng)1、2或3中任一項(xiàng)所述的銣洗脫系統(tǒng),其中:
-所述廢物容器被封閉在具有頂表面的廢物隔室中,所述廢物隔室的頂表面在所述組件內(nèi)處于第一高度。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于朱布蘭特德拉西梅公司,未經(jīng)朱布蘭特德拉西梅公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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