[發明專利]對稱的前體輸送有效
| 申請號: | 201980054132.3 | 申請日: | 2019-08-13 |
| 公開(公告)號: | CN112567069B | 公開(公告)日: | 2023-07-18 |
| 發明(設計)人: | 伊萊·錢;阿德里安·拉沃伊;普魯肖塔姆·庫馬爾;杰弗里·克斯滕;高塔姆·達爾 | 申請(專利權)人: | 朗姆研究公司 |
| 主分類號: | C23C16/448 | 分類號: | C23C16/448;C23C16/455;C23C14/22;H01L21/67 |
| 代理公司: | 上海勝康律師事務所 31263 | 代理人: | 李獻忠;張華 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 對稱 輸送 | ||
1.一種用于處理室的氣體輸送系統,其包括:
用于將第一化學品輸送到所述處理室的第一通道和用于將第二化學品輸送到所述處理室的第二通道,所述第一通道具有第一出口閥,而所述第二通道具有第二出口閥;
連接到所述第一通道和所述第二通道兩者的涓流惰性氣體源;
耦合到所述第一出口閥的第一接頭和耦合到所述第二出口閥的第二接頭;和
公共導管,其連接在所述第一接頭和所述第二接頭之間,并且所述第一接頭具有連接到推壓氣體源的輸入端,而所述第二接頭具有連接到所述處理室的輸出端;
其中,在操作期間,每次讓所述第一化學品流過的所述第一通道或讓所述第二化學品流過的所述第二通道中的一者處于運行狀態,其中所述第一通道或所述第二通道中的非運行通道和運行通道使涓流惰性氣體從所述涓流惰性氣體源流到所述第一接頭和所述第二接頭,并且其中當所述第一化學品或所述第二化學品通過所述第一通道或所述第二通道輸出時,所述推壓氣體源使推壓惰性氣體流入所述第一接頭,流過所述公共導管并且從所述第二接頭流出到達所述處理室。
2.根據權利要求1所述的氣體輸送系統,其中,所述第一通道包括第一安瓿,所述第一安瓿具有用于從第一化學品源接收所述第一化學品的第一入口和用于從所述涓流惰性氣體源接收所述涓流惰性氣體的第二入口,以及
其中所述第二通道包括第二安瓿,所述第二安瓿具有用于從第二化學品源接收第二化學品的第一入口和用于從所述涓流惰性氣體源接收所述涓流惰性氣體的第二入口。
3.根據權利要求2所述的氣體輸送系統,其中,所述第一通道還包括耦合至所述第一安瓿的第一閥塊,所述第一閥塊具有一個或多個閥,以調節所述第一化學品從所述第一化學品源流入所述第一安瓿中的流動,以及
其中第二通道還包括耦合到所述第二安瓿的第二閥塊,所述第二閥塊具有一個或多個閥,以調節所述第二化學品從所述第二化學品源流到所述第二安瓿的流動和所述涓流惰性氣體從所述涓流氣體源流入所述第二安瓿的流動。
4.根據權利要求1所述的氣體輸送系統,其中,所述第一通道和所述第二通道各自都包括位于所述涓流惰性氣體源與所述第一安瓿和所述第二安瓿中的每個之間的涓流控制裝置,所述涓流控制裝置包括一個或多個閥以調節所述涓流惰性氣體從所述涓流惰性氣體源流入所述第一安瓿和所述第二安瓿內的流動。
5.根據權利要求2所述的氣體輸送系統,其中,所述第一安瓿和所述第二安瓿中的每一個包括耦合至溢出檢測器閥的一個或多個水平傳感器,所述一個或多個水平傳感器被配置為生成傳送到所述泄漏檢測器閥的指示在相應的所述第一或第二安瓿中的所述第一或第二化學品的水平的信號,
所述溢出檢測器閥被配置為控制所述第一或第二化學品流向相應的所述第一或第二安瓿的流動。
6.根據權利要求2所述的氣體輸送系統,其中,在所述氣體輸送系統內,所述第一通道和所述第二通道中的每一個的部件彼此對稱地定位。
7.根據權利要求1所述的氣體輸送系統,其中,所述第一通道的布局與所述第二通道的布局匹配。
8.根據權利要求7所述的氣體輸送系統,其中,所述布局由所述第一通道和所述第二通道中的每一個中的導管的總管線長度、彎頭數量、管線寬度以及配件數量限定,并且其中所述導管的所述總管線長度計算為每個管線區段的長度的總和,其中在連續的成對的彎頭之間限定管線區段,并且
其中使所述第一通道的所述導管的所述布局與所述第二通道的所述導管匹配包括:使所述總管線長度、所述配件數量、所述彎頭數量和所述管線寬度匹配。
9.根據權利要求8所述的氣體輸送系統,其中,所述第一通道的所述導管的所述總管線長度包括在所述第一接頭和所述第二接頭之間的所述公共導管的管線區段的長度。
10.根據權利要求1所述的氣體輸送系統,其中,所述涓流惰性氣體流入所述第一通道或所述第二通道中的所述非運行通道中的流動是為了避免其中的死角。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





