[發明專利]SiC單晶、SiC晶錠的制造方法及SiC晶片的制造方法

有效

• 申請號: 201980054072.5
• 申請日: 2019-08-13
• 公開（公告）號: CN112567077B
• 公開（公告）日: 2022-10-21
• 發明（設計）人: 野口駿介;藤川陽平;鷹羽秀隆
• 申請（專利權）人: 昭和電工株式會社;株式會社電裝
• 主分類號: C30B29/36
• 分類號: C30B29/36;C30B23/02
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 張軼楠;段承恩

1.一種SiC單晶，

通過俯視中心且沿著1-100方向切割而成的切割面中的原子排列面的彎曲量、與通過俯視中心且沿著與所述1-100方向垂直的11-20方向切割而成的切割面中的原子排列面的彎曲量之差為60μm以下，

所述彎曲量是SiC單晶的俯視中心處的原子位置與SiC單晶的端部處的[000-1]方向的原子位置之差，

SiC單晶在俯視下是圓形或者雖然一部分缺損但若將該缺損的部分假想地彌補則成為圓形的情況下，俯視中心意味著該圓形的中心，SiC單晶的晶錠進行了晶體生長后，以與晶體生長方向垂直的截面切割而成的晶片或切割體是俯視圓形的情況下，俯視中心意味著該圓形的中心，將SiC單晶的晶錠以與晶體生長方向交叉的、除了垂直方向以外的方向切割而成的晶片或切割體是俯視橢圓形的情況下，俯視中心意味著該橢圓形的長軸和短軸的交點。

2.根據權利要求1所述的SiC單晶，

通過俯視中心且沿著以[1-100]方向為基準多次轉動且每次轉動30°而得的6個邊切割而成的各切割面中，原子排列面的彎曲量的最大值與最小值之差為60μm以下。

3.根據權利要求1或2所述的SiC單晶，

在任意的切割面中原子排列面向同一方向彎曲。

4.根據權利要求1或2所述的SiC單晶，

所述原子排列面的每單位長度的彎曲量的最大值與最小值之差為4μm/cm以下。

5.根據權利要求1或2所述的SiC單晶，

俯視時的直徑為140mm以上。

6.根據權利要求1或2所述的SiC單晶，

厚度為500μm以上。

7.一種SiC晶錠的制造方法，

將權利要求1~5中任一項所述的SiC單晶作為籽晶，在所述籽晶的C面即（000-1）面或相對于C面成0~10°偏角的面上使SiC單晶進行晶體生長。

8.一種SiC晶片的制造方法，

對利用權利要求7所述的SiC晶錠的制造方法制作出的SiC晶錠進行切片。