[發(fā)明專利]濺射靶、磁性膜以及垂直磁記錄介質(zhì)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201980054069.3 | 申請日： | 2019-05-23 |
| 公開（公告）號： | CN112585295B | 公開（公告）日： | 2023-04-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 增田愛美;清水正義;巖淵靖幸 | 申請（專利權(quán)）人： | JX金屬株式會社 |
| 主分類號： | C23C14/34 | 分類號： | C23C14/34;G11B5/64;G11B5/851;H01F10/16;C22C1/04;C22C19/07;C22C32/00 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 呂琳;樸秀玉 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 濺射 磁性 以及 垂直 記錄 介質(zhì) | ||
1.一種濺射靶，其含有0.05at％以上的Bi，金屬氧化物的合計含量為10vol％～60vol％，剩余部分至少包含Co和Pt，除Bi氧化物外的金屬氧化物由選自由Co、Cr、Si、Ti以及B構(gòu)成的組中的至少一種元素的氧化物組成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射靶，其中，
以金屬氧化物的形式含有Bi的一部分或全部。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的濺射靶，其中，
含有0.5at％以上的Bi。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的濺射靶，其中，
還含有0.5at％～30at％的選自由Au、Ag、B、Cu、Cr、Ge、Ir、Mo、Nb、Ni、Pd、Re、Rh、Ru、Ta、W以及V構(gòu)成的組中的一種以上。
5.一種磁性膜，其為垂直磁記錄方式的磁記錄介質(zhì)用的磁性膜，所述磁性膜含有0.5at％以上的Bi，金屬氧化物的合計含量為10vol％～60vol％，剩余部分至少包含Co和Pt，除Bi氧化物外的金屬氧化物由選自由Co、Cr、Si、Ti以及B構(gòu)成的組中的至少一種元素的氧化物組成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的磁性膜，其中，
還含有0.5at％～30at％的選自由Au、Ag、B、Cu、Cr、Ge、Ir、Mo、Nb、Ni、Pd、Re、Rh、Ru、Ta、W以及V構(gòu)成的組中的一種以上。
7.一種垂直磁記錄介質(zhì)，具備權(quán)利要求5或6所述的磁性膜。
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- 專利分類
C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
