[發明專利]蝕刻的方法和等離子體處理裝置

在審

• 申請號: 201980053944.6
• 申請日: 2019-08-13
• 公開（公告）號: CN112567502A
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發明（設計）人: 巖野光纮;細谷正德
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H05H1/46
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇

在例示性的實施方式所涉及的方法中，通過等離子體蝕刻來蝕刻第一區域，以使第一區域在比第二區域靠基板內的更深的位置提供其上表面。接下來，通過在等離子體處理裝置的腔室內生成烴氣的等離子體，來在基板上形成含碳的沉積物。接下來，通過等離子體蝕刻，進一步蝕刻第一區域。在烴氣的等離子體的生成過程中，通過電磁體形成在基板的邊緣側上的水平分量比在基板的中心上的水平分量大的磁場分布。

技術領域

本公開的例示性的實施方式涉及一種蝕刻的方法和等離子體處理裝置。

背景技術

在電子器件的制造中，進行使用了等離子體處理裝置的等離子體蝕刻。在等離子體蝕刻中，相對于基板的第二區域選擇性地蝕刻該基板的第一區域。第二區域由與第一區域的材料不同的材料形成。專利文獻1中記載有相對于由氮化硅形成的第二區域選擇性地蝕刻由氧化硅形成的第一區域的方法。

在專利文獻1所記載的方法中，在基板上形成氟碳化合物的沉積物。為了形成沉積物，在等離子體處理裝置的腔室內生成氟碳化合物氣體的等離子體。接下來，向基板供給稀有氣體的離子。為了生成稀有氣體的離子，在腔室內生成稀有氣體的等離子體。通過向基板供給稀有氣體離子，沉積物中的氟碳化合物與第一區域的氧化硅發生反應。其結果，對第一區域進行蝕刻。另一方面，第二區域被沉積物保護。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2016-136606號公報

發明內容

發明要解決的問題

要求提高針對基板應用的蝕刻的選擇性和該蝕刻的面內均勻性。

用于解決問題的方案

在一個例示性的實施方式中，提供一種相對于由與基板的第一區域的材料不同的材料形成的該基板的第二區域選擇性地蝕刻該第一區域的方法。方法包括如下工序：通過等離子體蝕刻來時刻第一區域，以使第一區域在比第二區域靠基板內的更深的位置提供其上表面。方法還包括如下工序：在執行蝕刻第一區域的工序后，通過在其中配置了基板的等離子體處理裝置的腔室內生成烴氣的等離子體，來在基板上形成含碳的沉積物。方法還包括如下工序：在執行生成烴氣的等離子體的工序后，通過等離子體蝕刻來進一步蝕刻第一區域。在形成沉積物的工序中，通過電磁體形成在基板的邊緣側上的水平分量比在基板的中心上的水平分量大的磁場分布。

發明的效果

根據一個例示性的實施方式，能夠提高針對基板應用的蝕刻的選擇性和該蝕刻的面內均勻性。

附圖說明

圖1是表示一個例示性的實施方式所涉及的蝕刻的方法的流程圖。

圖2是作為一例的基板的局部截面圖。

圖3是概要性地表示一個例示性的實施方式所涉及的等離子體處理裝置的圖。

圖4是表示圖3所示的等離子體處理裝置的接地導體的內部的結構的一例的俯視圖。

圖5是表示能夠在圖1所示的工序ST1和工序ST3中分別執行的處理的例子的流程圖。

圖6的(a)是在方法MT的工序ST1中應用了圖5所示的工序STa后的一例的基板的局部截面圖，圖6的(b)是在方法MT的工序ST1中應用了圖5所示的工序STb后的一例的基板的局部截面圖。

圖7是應用了方法MT的工序ST1后的一例的基板的局部截面圖。

圖8是應用了方法MT的工序ST2后的一例的基板的局部截面圖。