[發(fā)明專利]顆粒狀物質(zhì)檢測(cè)傳感器元件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201980053874.4
• 申請(qǐng)日: 2019-08-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112567235A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 伊藤康隆;中村友好;牛田健;木全岳人;山本真宏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 揖斐電株式會(huì)社;株式會(huì)社電裝
• 主分類號(hào): G01N27/04
• 分類號(hào): G01N27/04
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11127
• 代理人: 于潔;龐東成

1.一種顆粒狀物質(zhì)檢測(cè)傳感器元件，其是檢測(cè)被測(cè)氣體中的顆粒狀物質(zhì)的顆粒狀物質(zhì)檢測(cè)傳感器元件，其具有：

具有附著顆粒狀物質(zhì)的檢測(cè)面的絕緣基體；

形成于所述絕緣基體中的極性相互不同的復(fù)數(shù)個(gè)檢測(cè)用導(dǎo)體；和

埋設(shè)于所述絕緣基體中的加熱器部，

所述檢測(cè)用導(dǎo)體具有：

至少一部分露出于所述檢測(cè)面的檢測(cè)電極部；

與所述檢測(cè)電極部電連接、并且形成于所述絕緣基體的外表面的端子部；和

將所述檢測(cè)電極部與所述端子部電連接的連結(jié)部，

所述檢測(cè)用導(dǎo)體中的露出于元件表面的露出導(dǎo)體部由貴金屬導(dǎo)體構(gòu)成，該貴金屬導(dǎo)體以選自Pt、Au、Pd、Rh、Ir中的至少一種以上的貴金屬為主要成分，

所述檢測(cè)用導(dǎo)體中的未露出于元件表面的非露出導(dǎo)體部的至少一部分由低膨脹導(dǎo)體構(gòu)成，該低膨脹導(dǎo)體以線膨脹系數(shù)小于所述貴金屬的低膨脹率金屬為主要成分。

2.如權(quán)利要求1所述的顆粒狀物質(zhì)檢測(cè)傳感器元件，其中，所述低膨脹率金屬為選自W、Mo中的至少一種以上的金屬。

3.如權(quán)利要求1或2所述的顆粒狀物質(zhì)檢測(cè)傳感器元件，其中，所述檢測(cè)電極部和所述端子部由所述貴金屬導(dǎo)體構(gòu)成，所述連結(jié)部具有所述低膨脹導(dǎo)體。

4.如權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的顆粒狀物質(zhì)檢測(cè)傳感器元件，其中，所述絕緣基體具有長(zhǎng)條形狀，所述連結(jié)部具有沿著所述絕緣基體的長(zhǎng)度方向形成的長(zhǎng)布線部，該長(zhǎng)布線部由所述低膨脹導(dǎo)體構(gòu)成。

5.如權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的顆粒狀物質(zhì)檢測(cè)傳感器元件，其中，所述絕緣基體是將復(fù)數(shù)個(gè)絕緣層層積而成的，所述檢測(cè)電極部形成于所述復(fù)數(shù)個(gè)絕緣層之間，所述檢測(cè)面形成于與所述復(fù)數(shù)個(gè)絕緣層的層積方向正交的方向的端面。

6.如權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的顆粒狀物質(zhì)檢測(cè)傳感器元件，其中，所述絕緣基體是將復(fù)數(shù)個(gè)絕緣層層積而成的，具有形成于所述復(fù)數(shù)個(gè)絕緣層之間的內(nèi)層導(dǎo)體作為所述非露出導(dǎo)體部，具有形成于層積方向上的所述絕緣基體的外表面的外層導(dǎo)體作為所述露出導(dǎo)體部，設(shè)有將所述內(nèi)層導(dǎo)體與所述外層導(dǎo)體進(jìn)行層間連接的內(nèi)外層間通孔，該內(nèi)外層間通孔內(nèi)的通孔內(nèi)導(dǎo)體為所述貴金屬導(dǎo)體。

7.如權(quán)利要求6所述的顆粒狀物質(zhì)檢測(cè)傳感器元件，其中，所述內(nèi)層導(dǎo)體中的與所述通孔內(nèi)導(dǎo)體直接連接的部位為所述貴金屬導(dǎo)體。

8.如權(quán)利要求1～7中任一項(xiàng)所述的顆粒狀物質(zhì)檢測(cè)傳感器元件，其中，所述絕緣基體是將復(fù)數(shù)個(gè)絕緣層層積而成的，所述貴金屬導(dǎo)體與所述低膨脹導(dǎo)體在層積方向上相鄰的所述絕緣層之間、在該絕緣層的厚度方向上部分相互重合的重復(fù)部進(jìn)行接合。

9.如權(quán)利要求8所述的顆粒狀物質(zhì)檢測(cè)傳感器元件，其中，所述重復(fù)部具有所述貴金屬與所述低膨脹率金屬的固溶體層。

10.如權(quán)利要求1～9中任一項(xiàng)所述的顆粒狀物質(zhì)檢測(cè)傳感器元件，其中，所述端子部由多孔質(zhì)的所述貴金屬導(dǎo)體構(gòu)成。

11.如權(quán)利要求1～10中任一項(xiàng)所述的顆粒狀物質(zhì)檢測(cè)傳感器元件，其中，所述檢測(cè)用導(dǎo)體中的由所述低膨脹導(dǎo)體構(gòu)成的所述非露出導(dǎo)體部與所述端子部之間的部分的至少一部分由具有閉孔的所述貴金屬導(dǎo)體構(gòu)成。