[發(fā)明專利]組合物和彈性體有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201980053821.2 | 申請日: | 2019-08-28 |
| 公開(公告)號: | CN112566978B | 公開(公告)日: | 2023-08-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 磯部浩輔;橋本貞治;石井雄太 | 申請(專利權(quán))人: | 日本瑞翁株式會社 |
| 主分類號: | C08L53/02 | 分類號: | C08L53/02;C08J5/18;D02G3/02 |
| 代理公司: | 北京柏杉松知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11413 | 代理人: | 楊衛(wèi)萍;劉繼富 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 組合 彈性體 | ||
1.一種組合物,其含有:
通式(A):Ar1a-Da-Ar2a所表示的嵌段共聚物A、通式(B):Ar1b-Db-Ar2b所表示的嵌段共聚物B、以及通式(C):(Arc-Dc)n-X所表示的嵌段共聚物C,
其中,Ar1a表示重均分子量為5000~20000的芳香族乙烯基聚合物嵌段,Da表示共軛二烯聚合物嵌段,Ar2a表示重均分子量超過20000且為400000以下的芳香族乙烯基聚合物嵌段;
Ar1b和Ar2b分別表示重均分子量為5000~20000的芳香族乙烯基聚合物嵌段,Db表示共軛二烯聚合物嵌段;
Arc表示芳香族乙烯基聚合物嵌段,Dc表示共軛二烯聚合物嵌段,n表示2以上的整數(shù),X表示偶聯(lián)劑的殘留基團(tuán),
所述嵌段共聚物A的芳香族乙烯基單體單元的含量相對于構(gòu)成所述嵌段共聚物A的全部單體單元為40~50重量%,
所述嵌段共聚物B的芳香族乙烯基單體單元的含量相對于構(gòu)成所述嵌段共聚物B的全部單體單元為20~30重量%,
所述嵌段共聚物C的芳香族乙烯基單體單元的含量相對于構(gòu)成所述嵌段共聚物C的全部單體單元小于20重量%。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合物,其中,共軛二烯聚合物嵌段Da的乙烯基鍵含量為1~20摩爾%,共軛二烯聚合物嵌段Da的重均分子量為40000~400000。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的組合物,其中,共軛二烯聚合物嵌段Db的乙烯基鍵含量為1~20摩爾%,共軛二烯聚合物嵌段Db的重均分子量為40000~400000。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的組合物,其中,所述嵌段共聚物A和所述嵌段共聚物B是通過按照芳香族乙烯基單體、共軛二烯單體、接著芳香族乙烯基單體的順序逐步聚合而形成聚合物嵌段的制造方法來得到的。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的組合物,其中,通式(C)中的n為2~4的整數(shù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的組合物,其中,共軛二烯聚合物嵌段Dc的乙烯基鍵含量為1~20摩爾%,共軛二烯聚合物嵌段Dc的重均分子量為20000~200000。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的組合物,其中,所述嵌段共聚物C是通過將芳香族乙烯基單體和共軛二烯單體進(jìn)行聚合形成二嵌段鏈、使所述二嵌段鏈和偶聯(lián)劑反應(yīng)來進(jìn)行偶聯(lián)的制造方法而得到。
8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的組合物,其中還含有通式(D):Ard-Dd所表示的嵌段共聚物D,
式中,Ard表示芳香族乙烯基聚合物嵌段,Dd表示共軛二烯聚合物嵌段,
所述嵌段共聚物D的芳香族乙烯基單體單元的含量相對于構(gòu)成所述嵌段共聚物D的全部單體單元小于20重量%。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的組合物,其中還含有蠟,
所述蠟含有直鏈狀烴和支鏈狀烴,以直鏈狀烴/支鏈狀烴所表示的重量比計,直鏈狀烴和支鏈狀烴的重量比為30/70~99/1,
所述蠟的熔點(diǎn)小于80℃,
所述組合物中的所述蠟的含量相對于所述組合物中的合計100重量份的嵌段共聚物為0.1~5重量份。
10.一種彈性體,其是由權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的組合物得到的。
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