[發明專利]顆粒狀物質檢測傳感器元件

在審

• 申請號: 201980053819.5
• 申請日: 2019-08-09
• 公開（公告）號: CN112567234A
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發明（設計）人: 伊藤康隆;中村友好;牛田健;木全岳人;山本真宏
• 申請（專利權）人: 揖斐電株式會社;株式會社電裝
• 主分類號: G01N27/04
• 分類號: G01N27/04
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 于潔;龐東成

1.一種顆粒狀物質檢測傳感器元件，其是檢測被測氣體中的顆粒狀物質的顆粒狀物質檢測傳感器元件，其具有：

具有附著顆粒狀物質的檢測面的絕緣基體；

形成于所述絕緣基體中的極性相互不同的復數個檢測用導體；和

形成于所述絕緣基體中的加熱器部，

所述檢測用導體具有：

至少一部分露出于所述檢測面的檢測電極部；

與所述檢測電極部電連接、并且形成于所述絕緣基體的外表面的端子部；和

將所述檢測電極部與所述端子部電連接的連結部，

所述檢測用導體中的至少包含所述檢測電極部的部位由貴金屬導體構成，該貴金屬導體以選自Pt、Au、Pd、Rh、Ir中的至少一種以上的貴金屬為主要成分，

所述連結部的至少一部分由低膨脹導體構成，該低膨脹導體以線膨脹系數小于所述貴金屬的低膨脹率金屬為主要成分，

所述貴金屬導體與所述低膨脹導體在構成所述絕緣基體的絕緣層上通過在該絕緣層的法線方向上部分相互重合的重復部而接合。

2.如權利要求1所述的顆粒狀物質檢測傳感器元件，其中，所述低膨脹率金屬為選自W、Mo中的至少一種以上的金屬。

3.如權利要求1或2所述的顆粒狀物質檢測傳感器元件，其中，所述檢測用導體中的所述端子部由所述貴金屬導體構成。

4.如權利要求1～3中任一項所述的顆粒狀物質檢測傳感器元件，其中，所述低膨脹導體形成于所述絕緣基體的內部。

5.如權利要求1～4中任一項所述的顆粒狀物質檢測傳感器元件，其中，所述檢測電極部形成于復數個所述絕緣層之間，所述檢測面形成于與復數個所述絕緣層的層積方向正交的方向的端面。

6.如權利要求1～5中任一項所述的顆粒狀物質檢測傳感器元件，其中，

所述檢測用導體具有形成于復數個所述絕緣層之間的內層導體、和形成于層積方向上的所述絕緣基體的外表面的外層導體，

設有將所述內層導體與所述外層導體進行層間連接的內外層間通孔，

該內外層間通孔內的通孔內導體為所述貴金屬導體。

7.如權利要求6所述的顆粒狀物質檢測傳感器元件，其中，所述內層導體中與連接于所述外層導體的所述內外層間通孔直接連接的部位為所述貴金屬導體。

8.如權利要求1～7中任一項所述的顆粒狀物質檢測傳感器元件，其中，所述重復部具有所述貴金屬與所述低膨脹率金屬的固溶體層。

9.如權利要求1～8中任一項所述的顆粒狀物質檢測傳感器元件，其中，所述端子部由多孔質的所述貴金屬導體構成。

10.如權利要求1～9中任一項所述的顆粒狀物質檢測傳感器元件，其中，所述檢測用導體中，由所述低膨脹導體構成的所述連結部與所述端子部之間的部分的至少一部分由具有閉孔的所述貴金屬導體構成。