[發明專利]磁場施加裝置有效
| 申請號: | 201980053798.7 | 申請日: | 2019-09-09 |
| 公開(公告)號: | CN112585414B | 公開(公告)日: | 2023-04-04 |
| 發明(設計)人: | 榧野茜;淺野能成 | 申請(專利權)人: | 大金工業株式會社 |
| 主分類號: | F25B21/00 | 分類號: | F25B21/00 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 徐丹;鄧毅 |
| 地址: | 日本大阪*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 磁場 施加 裝置 | ||
磁場施加裝置(20)包括軛部(30),軛部(30)形成至少兩個閉合磁路(44~46),閉合磁路(44~46)將永久磁鐵(28)的磁化方向兩端磁連接而構成閉合回路。在至少一個閉合磁路(44~46)中,設有磁場施加部(25、26)。在閉合磁路(44~46)的至少一者中,設有線圈(47、48),線圈(47、48)可對施加于磁工質(27)的磁場的強度進行改變。當線圈(47、48)未通電時,永久磁鐵(28)的磁通分流到兩個以上閉合磁路(44~46)。其結果是,能夠使磁場施加裝置的線圈電流的最大值較小。
技術領域
本公開涉及一種磁場施加裝置。
背景技術
迄今,已知一種用于對磁工質施加或除去磁場的磁場施加裝置(例如,專利文獻1)。該文獻的磁場施加裝置構成為:當電流在線圈中流動時,對磁工質施加磁場,而當線圈未通電時,不對磁工質施加磁場。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本公開專利公報特開2004-317040號公報
發明內容
-發明要解決的技術問題-
在所述磁場施加裝置中,線圈未通電時的磁工質的磁通密度大致為零。因此,為了使電流在線圈中流動而使磁工質產生期望的磁通密度,需要使相對較大的電流在線圈中流動以使磁工質的磁通密度從大致為零增大到期望的磁通密度。也就是說,在專利文獻1的磁場施加裝置中,存在線圈電流的最大值相對較大的問題。
本公開的目的在于:使磁場施加裝置的線圈電流的最大值較小。
-用以解決技術問題的技術方案-
本公開的第一方面以一種磁場施加裝置20為對象,該磁場施加裝置20包括磁場施加部25、26和永久磁鐵28,所述磁場施加部25、26中設有磁工質27且對該磁工質27施加有磁場。所述磁場施加裝置20包括軛部30,所述軛部30形成至少兩個閉合磁路44~46,所述閉合磁路44~46將所述永久磁鐵28的磁化方向兩端磁連接而構成閉合回路,所述磁場施加部25、26設在至少一個所述閉合磁路44~46中,所述磁場施加裝置20包括線圈47、48,所述線圈47、48設在所述閉合磁路44~46的至少一者中,且可對施加于所述磁工質27的磁場的強度進行改變,所述磁場施加裝置20構成為:當所述線圈47、48未通電時,所述永久磁鐵28的磁通分流到包括設有所述磁場施加部25、26的所述閉合磁路44~46的兩個以上該閉合磁路44~46。
在第一方面中,當線圈47、48未通電時,永久磁鐵28的磁通的至少一部分在磁場施加部25、26中流動。也就是說,當線圈47、48未通電時,由永久磁鐵28產生的磁場施加于該磁場施加部25、26的磁工質27。并且,在磁場施加裝置20中,通過使電流在線圈47、48中流動來對施加于該磁工質27的磁場的強度進行改變,這樣一來,在磁工質27中產生磁熱效應。
如上所述,在第一方面中,在線圈47、48未通電的狀態下也會對磁工質27施加磁場。因此,例如與當線圈47、48未通電時不對磁工質27施加磁場的現有技術的磁場施加裝置相比,為了將該磁工質27的磁通密度提高到期望的程度所需要的在線圈47、48中流動的電流較小就足夠了。其結果是,在磁場施加裝置20中能夠使在線圈47、48中流動的電流的最大值較小。
本公開的第二方面在上述第一方面的基礎上,其特征在于:所述磁場施加裝置20包括第一所述閉合磁路44和第二所述閉合磁路45,將第一所述閉合磁路44中所述永久磁鐵28以外的部分的磁阻設為R1,且將第二所述閉合磁路45中所述永久磁鐵28以外的部分的磁阻設為R2,所述磁場施加裝置20被設計成保證0.01×R1≤R2≤100×R1成立。
在第二方面中,永久磁鐵28的磁通以與第一閉合磁路44和第二閉合磁路45各自的磁阻R1、R2相應的比率分流到第一閉合磁路44和第二閉合磁路45。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于大金工業株式會社,未經大金工業株式會社許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201980053798.7/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:最佳放置及組合機會目標
- 下一篇:半導體裝置的制造方法





