[發明專利]用于對存儲器單元進行編程的技術

在審

• 申請號: 201980053652.2
• 申請日: 2019-08-09
• 公開（公告）號: CN112602151A
• 公開（公告）日: 2021-04-02
• 發明（設計）人: H·A·卡斯特羅;I·托爾托雷利;A·皮羅瓦諾;F·佩里茲
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: G11C11/56
• 分類號: G11C11/56;G11C13/00;H01L45/00
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

本發明提供用于對存儲第一邏輯狀態的自選擇存儲器單元進行編程的技術。為對所述存儲器單元進行編程，可將具有第一極性的脈沖施加到所述單元，此可導致所述存儲器單元具有降低的閾值電壓。在其中可降低所述存儲器單元的所述閾值電壓的持續時間期間(例如，在選擇時間期間)，可將具有第二極性(例如，不同極性)的第二脈沖施加到所述存儲器單元。將所述第二脈沖施加到所述存儲器單元可導致所述存儲器單元存儲不同于所述第一邏輯狀態的第二邏輯狀態。

交叉參考

本專利申請案主張由卡斯特羅(Castro)等人在2018年8月22日申請的標題為“用于對存儲器單元進行編程的技術(TECHNIQUES FOR PROGRAMMING A MEMORY CELL)”、讓渡給其受讓人且其全部以引用的方式明確并入本文中的第16/108,784號美國專利申請案的優先權。

背景技術

下文大體上涉及操作存儲器陣列且更明確來說涉及對自選擇存儲器裝置進行編程。

存儲器裝置廣泛用于存儲各種電子裝置(例如計算機、相機、數字顯示器及類似者)中的信息。信息通過對存儲器裝置的不同狀態進行編程來進行存儲。例如，二進制裝置具有通常由邏輯“1”或一邏輯“0”表示的兩個狀態。在其它系統中，可存儲兩個以上狀態。為存取所述經存儲信息，所述電子裝置的組件可讀取或感測所述存儲器裝置中的經存儲狀態。為存儲信息，所述電子裝置的組件可在所述存儲器裝置中寫入或編程狀態。

存在各種類型的存儲器裝置，包含磁性硬盤、隨機存取存儲器(RAM)、只讀存儲器(ROM)、動態RAM(DRAM)、同步動態RAM(SDRAM)、鐵電RAM(FeRAM)、磁性RAM(MRAM)、電阻性RAM(RRAM)、快閃存儲器、相變存儲器(PCM)及其它。存儲器裝置可為易失性或非易失性的。非易失性存儲器單元即使在不存在外部電源的情況下也可維持其存儲的邏輯狀態達延長時間段。易失性存儲器單元可能隨時間丟失其存儲的狀態，除非其由外部電源周期性刷新。

改進存儲器裝置通常可包含增加存儲器單元密度、增加讀取/寫入速度、增加可靠性、增加數據保持、降低電力消耗或降低制造成本等等。可期望使用降低的寫入電壓對存儲器單元進行編程以減小所述存儲器單元上的應力及降低存儲器陣列的總用電量。

附圖說明

圖1說明根據本公開的實例的實例性存儲器裝置。

圖2說明根據本公開的方面的支持用于對自選擇存儲器裝置進行編程的技術的存儲器陣列的實例。

圖3說明展示根據本公開的方面的支持用于對自選擇存儲器裝置進行編程的技術的自選擇存儲器單元的閾值電壓的分布的圖式的實例。

圖4說明根據本公開的方面的與支持用于對自選擇存儲器裝置進行編程的技術的自選擇存儲器單元的閾值電壓的分布相關聯的時序圖的實例。

圖5展示根據本公開的方面的支持用于對自選擇存儲器裝置進行編程的技術的裝置的框圖。

圖6到8說明根據本公開的方面的支持用于對自選擇存儲器裝置進行編程的技術的方法的流程圖。

具體實施方式

可通過使用各種編程脈沖編程包含硫屬化物合金的自選擇存儲器單元以存儲一或多個數據位。因而，單個自選擇存儲器單元可經配置以存儲一個以上數字數據位。在一些情況中，可通過在字線與數字線之間施加特定偏壓而選擇自選擇存儲器單元。存儲于自選擇存儲器單元中的邏輯狀態可基于施加到所述自選擇存儲器單元的編程脈沖的極性。例如，自選擇存儲器可在施加具有第一極性的編程脈沖之后存儲邏輯‘0’且所述自選擇存儲器可在施加具有第二、不同極性的編程脈沖之后存儲邏輯‘1’。此外，表示由感測組件檢測的邏輯狀態(例如，邏輯“0”)的閾值電壓可基于在讀取操作期間施加的讀取脈沖的極性而改變。例如，歸因于經編程自選擇存儲器單元中的離子的不對稱分布，在施加不同極性的讀取脈沖時，閾值電壓可看似不同。