[發(fā)明專利]具有增進(jìn)效率的掃描磁體設(shè)計(jì)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201980053599.6 | 申請(qǐng)日： | 2019-08-21 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN112567492A | 公開（公告）日： | 2021-03-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 伯·范德伯格;愛(ài)德華·艾伊斯勒 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 艾克塞利斯科技公司 |
| 主分類號(hào)： | H01J37/147 | 分類號(hào)： | H01J37/147;H01J37/317;H01F3/02;H01F7/20;G21K1/093;G21K5/00 |
| 代理公司： | 北京中原華和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11019 | 代理人： | 壽寧;張琳 |
| 地址： | 美國(guó)馬薩諸塞州*** | 國(guó)省代碼： | 暫無(wú)信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 具有 增進(jìn) 效率 掃描 磁體 設(shè)計(jì) | ||
1.一種用于磁性掃描離子束的掃描磁體，所述掃描磁體包括：
軛部，具有界定在其中的通道，所述軛部具有界定穿過(guò)所述通道的離子束的對(duì)應(yīng)入口和出口的第一側(cè)和第二側(cè)，所述軛部包括從所述第一側(cè)到所述第二側(cè)所堆棧的多個(gè)層合物，并且其中與所述第一側(cè)和所述第二側(cè)相關(guān)聯(lián)的多個(gè)層合物的至少一部分包括一個(gè)或多個(gè)槽口式層合物，其中所述一個(gè)或多個(gè)槽口式層合物具有朝向所述通道延伸的多個(gè)尖齒，其中多個(gè)槽口被界定在所述多個(gè)尖齒之間；以及
掃描儀線圈，包括纏繞在所述軛部上的第一導(dǎo)線。
2.如權(quán)利要求1所述的掃描磁體，其中，所述多個(gè)尖齒大致上界定與所述多個(gè)槽口相關(guān)聯(lián)的槽口間距和槽口深度，其中，所述槽口間距和所述槽口深度被配置成經(jīng)由所述多個(gè)尖齒將來(lái)自所述軛部的通量引導(dǎo)朝向所述離子束所穿過(guò)的區(qū)域。
3.如權(quán)利要求2所述的掃描磁體，其中，所述多個(gè)層合物通過(guò)設(shè)置在其間的絕緣層而彼此電隔離，且其中，所述槽口間距大于或近似等于所述絕緣層的厚度。
4.如權(quán)利要求2所述的掃描磁體，其中，所述槽口間距近似等于所述多個(gè)層合物中的一個(gè)的厚度。
5.如權(quán)利要求1所述的掃描磁體，其中，所述軛部包括第一半部和第二半部，其中所述第一半部和所述第二半部大致上是彼此的鏡像。
6.如權(quán)利要求1所述的掃描磁體，其中，包括所述多個(gè)槽口的所述多個(gè)層合物的所述至少一部分與所述軛部的一個(gè)或多個(gè)極邊緣相關(guān)聯(lián)。
7.如權(quán)利要求6所述的掃描磁體，其中，與所述極邊緣相關(guān)的所述多個(gè)層合物的預(yù)定部分包括槽口式層合物，且其中，所述多個(gè)層合物的其余部分包括大致上平坦的層合物，所述大致上平坦的層合物具有與所述多個(gè)槽口相關(guān)聯(lián)的平坦區(qū)域，其中，所述平坦區(qū)域不包括槽口。
8.如權(quán)利要求1所述的掃描磁體，其中，所述多個(gè)槽口的槽口長(zhǎng)度被配置成將通量從所述軛部引導(dǎo)至極間隙，由此所述槽口長(zhǎng)度被配置以減輕所述軛部的發(fā)熱。
9.如權(quán)利要求1所述的掃描磁體，其中，所述多個(gè)層合物大致上界定梳狀結(jié)構(gòu)。
10.如權(quán)利要求1所述的掃描磁體，其進(jìn)一步包括一個(gè)或多個(gè)襯料，其中所述一個(gè)或多個(gè)襯料位于所述通道內(nèi)并且大致上將所述軛部和所述掃描儀線圈與所述離子束隔離。
11.如權(quán)利要求10所述的掃描磁體，其中，所述一個(gè)或多個(gè)襯料進(jìn)一步包括界定在其中的一個(gè)或多個(gè)襯料槽口，其中，所述一個(gè)或多個(gè)襯料槽口被進(jìn)一步配置成大致上減少所述一個(gè)或多個(gè)襯料內(nèi)的渦電流。
12.一種離子注入系統(tǒng)，包括：
離子源，被配置為形成離子束；
質(zhì)量分析器；及
掃描磁體，被配置以磁性掃描所述離子束，其中所述掃描磁體包括：
軛部，具有界定在其中的通道，所述軛部具有界定穿過(guò)所述通道的離子束的對(duì)應(yīng)入口和出口的第一側(cè)和第二側(cè)，所述軛部包括從所述第一側(cè)到所述第二側(cè)所堆棧的多個(gè)層合物，并且其中與所述第一側(cè)和所述第二側(cè)相關(guān)的所述多個(gè)層合物的至少一部分包括一個(gè)或多個(gè)槽口式層合物，其中所述一個(gè)或多個(gè)槽口式層合物具有朝向所述通道延伸的多個(gè)尖齒，其中多個(gè)槽口被界定在所述多個(gè)尖齒之間；以及
掃描儀線圈，包括纏繞在所述軛部上的至少第一導(dǎo)線。
13.如權(quán)利要求12所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述多個(gè)尖齒大致上界定與所述多個(gè)槽口相關(guān)聯(lián)的槽口間距和槽口深度，其中，所述槽口間距和所述槽口深度被配置成經(jīng)由所述多個(gè)尖齒將來(lái)自所述軛部的通量引導(dǎo)朝向所述離子束所穿過(guò)的區(qū)域。
14.如權(quán)利要求13所述的離子注入系統(tǒng)，其中，所述多個(gè)層合物通過(guò)設(shè)置在其間的絕緣層而彼此電隔離，且其中，所述槽口間距大于或近似等于所述絕緣層的厚度。
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