[發(fā)明專利]顯示裝置及其操作方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201980053215.0 | 申請(qǐng)日： | 2019-05-22 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN112567527A | 公開（公告）日： | 2021-03-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 金建熙;樸常鎬;全珠姬;鄭榮哲 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L27/32 | 分類號(hào)： | H01L27/32;G09G3/3283;H01L27/12;H01L29/786;H01L51/50 |
| 代理公司： | 北京德琦知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11018 | 代理人： | 嚴(yán)芬;康泉 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 顯示裝置 及其 操作方法 | ||
1.一種顯示裝置，包括：
基板；和
放置在所述基板上的晶體管，
其中所述晶體管包括：
半導(dǎo)體層；
與所述半導(dǎo)體層重疊的柵電極；
與溝道區(qū)重疊并且與所述柵電極接觸的第一柵接觸重疊層，所述柵電極和所述半導(dǎo)體層在所述溝道區(qū)處重疊；和
與所述溝道區(qū)重疊并且與所述半導(dǎo)體層接觸的半導(dǎo)體接觸重疊層，并且
所述第一柵接觸重疊層和所述半導(dǎo)體接觸重疊層在所述溝道區(qū)內(nèi)由間隙物理地分開。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，
所述晶體管進(jìn)一步包括：
與所述溝道區(qū)重疊并且與所述柵電極接觸的第二柵接觸重疊層，并且
在平面上，所述半導(dǎo)體接觸重疊層設(shè)置在所述第一柵接觸重疊層和所述第二柵接觸重疊層之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中，
在平面上，包括所述第一柵接觸重疊層、所述半導(dǎo)體接觸重疊層、所述第二柵接觸重疊層和所述間隙的整個(gè)區(qū)域的寬度大于所述溝道區(qū)的寬度。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中，
在平面上，包括所述第一柵接觸重疊層、所述半導(dǎo)體接觸重疊層、所述第二柵接觸重疊層和所述間隙的整個(gè)區(qū)域的寬度小于所述溝道區(qū)的寬度。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中，
所述晶體管進(jìn)一步包括與所述溝道區(qū)重疊并且與所述半導(dǎo)體層和所述柵電極絕緣而不連接的浮置重疊層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，
所述半導(dǎo)體接觸重疊層包括：
與所述溝道區(qū)重疊的第一重疊部；
與所述溝道區(qū)重疊的第二重疊部；
與所述半導(dǎo)體層接觸而不與所述柵電極重疊的接觸部；和
將所述第一重疊部、所述第二重疊部和所述接觸部彼此連接的延伸部。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其中，
所述第一柵接觸重疊層設(shè)置在所述第一重疊部和所述第二重疊部之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其中，
在平面上，包括所述第一柵接觸重疊層、所述第一重疊部、所述第二重疊部和所述間隙的整個(gè)區(qū)域的寬度大于所述溝道區(qū)的寬度。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其中，
在平面上，包括所述第一柵接觸重疊層、所述第一重疊部、所述第二重疊部和所述間隙的整個(gè)區(qū)域的寬度小于所述溝道區(qū)的寬度。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置，其中，
所述晶體管進(jìn)一步包括與所述溝道區(qū)重疊并且與所述半導(dǎo)體層和所述柵電極絕緣而不連接的浮置重疊層。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，
所述第一柵接觸重疊層的寬度與所述半導(dǎo)體接觸重疊層的寬度相同。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，
所述第一柵接觸重疊層的寬度和所述半導(dǎo)體接觸重疊層的寬度彼此不同。
13.一種顯示裝置，包括：
多個(gè)像素，
其中，所述多個(gè)像素中的每一個(gè)包括：
發(fā)光二極管；和
驅(qū)動(dòng)晶體管，控制從第一電源電壓流到所述發(fā)光二極管的電流量，并且
所述驅(qū)動(dòng)晶體管包括：
連接到第一節(jié)點(diǎn)的柵電極；
施加有所述第一電源電壓的第一電極；
電連接到所述發(fā)光二極管的第二電極；
與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的溝道區(qū)重疊并且連接到所述柵電極的柵接觸重疊層；和
與所述溝道區(qū)重疊并且連接到所述第一電極的半導(dǎo)體接觸重疊層，并且
所述柵接觸重疊層和所述半導(dǎo)體接觸重疊層由間隙物理地分開。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
