[發明專利]用于增大ALD工藝的沉積速率的方法

在審

• 申請號: 201980052972.6
• 申請日: 2019-07-26
• 公開（公告）號: CN112567071A
• 公開（公告）日: 2021-03-26
• 發明（設計）人: 丹尼斯·豪斯曼;亞力山大·R·福克斯;科琳·勞勒
• 申請（專利權）人: 朗姆研究公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/34;C23C16/40
• 代理公司: 上海勝康律師事務所 31263
• 代理人: 李獻忠;張華

1.一種用于增大原子層沉積(ALD)工藝的沉積速率的方法，該方法包含：

提供處理室，其中襯底在所述室中；

使第一前體流入所述室中，所述第一前體包含金屬有機物、金屬鹵化物、或金屬雜化物，其中所述第一前體的吸附導致在所述襯底上生長膜；

使氣相的堿與所述第一前體共流至所述室中，以將所述襯底的表面同時暴露于所述第一前體與所述堿，其中所述堿不會在所述襯底的所述表面上產生任何能測量的膜且所述堿不會在所述室中產生任何能測量的顆粒；以及

使第二前體流入所述室中，其中所述第二前體的吸附提供所述膜的氧化或氮化。

2.根據權利要求1所述的方法，其還包含在使所述堿共流之后以及使所述第二前體流動之前清掃所述處理室。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述堿選自由吡啶、胺和氨組成的群組。

4.根據權利要求1所述的方法，其中使所述堿共流包含：使所述堿與所述第一前體一起脈沖化。

5.根據權利要求1所述的方法，其中使所述堿共流包含：交替所述第一前體的脈沖與所述堿的脈沖。

6.根據權利要求1所述的方法，其還包含使堿與所述第二前體共流。

7.根據權利要求1所述的方法，其還包含使酸與所述第二前體共流。

8.根據權利要求7所述的方法，其中所述ALD工藝不是等離子體增強工藝。

9.根據權利要求2所述的方法，其還包含在使所述第二前體流動之后清掃所述處理室。

10.一種用于增大原子層沉積(ALD)工藝的沉積速率的方法，該方法包含：

提供處理室，其中襯底在所述室中；

使第一前體流入所述室中，其中所述第一前體是金屬有機物、金屬鹵化物、或金屬雜化物，并且其中所述第一前體的吸附導致在所述襯底上生長膜；

使揮發性的堿與所述第一前體共流入所述室中，以將所述襯底的表面同時暴露于所述第一前體與所述堿，其中所述堿不會在所述襯底的所述表面上產生任何能測量的膜且所述堿不會在所述室中產生任何能測量的顆粒；以及

使揮發性的堿或酸與第二前體共流入所述室中，其中所述第二前體的吸附提供所述膜的氧化或氮化。

11.根據權利要求10所述的方法，其中所述堿選自由吡啶、胺和氨組成的群組。

12.根據權利要求10所述的方法，其中使所述堿共流包含：使所述堿與所述第一前體一起脈沖化。

13.根據權利要求10所述的方法，其中使所述堿共流包含：交替所述第一前體的脈沖與所述堿的脈沖。

14.一種用于增大等離子體增強原子層沉積(ALD)工藝的沉積速率的方法，其包含：

提供處理室，其中襯底在所述室中；

使第一前體流入所述室中，所述第一前體包含金屬有機物、金屬鹵化物、或金屬雜化物，其中所述第一前體的吸附導致在所述襯底上生長膜；

使氣相的堿與所述第一前體共流至所述室中，以將所述襯底的表面同時暴露于所述第一前體與所述堿，其中所述堿不會在所述襯底的所述表面上產生任何能測量的膜且所述堿不會在所述室中產生任何能測量的顆粒；以及

使第二前體流入所述室中，其中所述第二前體是經等離子體點燃的并且所述第二前體的吸附提供所述膜的氧化或氮化。

15.根據權利要求14所述的方法，其中所述第一前體選自由雙(二乙基氨)硅烷(BDEAS)、雙(叔丁基氨)硅烷(BTBAS)和三(二甲基氨)硅皖(TDMAS)組成的群組。