[發(fā)明專利]LIDAR輸出信號的導引中的相位控制在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201980052183.2 | 申請日: | 2019-05-31 |
| 公開(公告)號: | CN112673274A | 公開(公告)日: | 2021-04-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 馮大增;B·J·拉夫;M·阿斯加里 | 申請(專利權(quán))人: | 硅光芯片技術(shù)公司 |
| 主分類號: | G01S7/481 | 分類號: | G01S7/481;G02B26/08 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 劉茜璐;呂傳奇 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | lidar 輸出 信號 導引 中的 相位 控制 | ||
1.一種LIDAR芯片,包括:
多個導引波導,其定位在基底上并且每個導引波導被配置成載送輸出信號,所述導引波導各自終止在刻面處,所述刻面被布置為使得輸出信號通過所述刻面離開所述芯片并且組合以形成LIDAR輸出信號;
相位調(diào)諧器,其定位在所述導引波導的至少部分上,并且被配置成調(diào)諧彼此相鄰的導引波導上的輸出信號之間的相位差;以及
所述導引波導具有大于或等于1μm且小于或等于4μm的直徑或高度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片,其中,所述刻面的至少部分被構(gòu)造成使得所述刻面和在所述刻面處的所述輸出信號的傳播方向之間的最小角度大于80°且小于90°。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片,其中,在所述刻面處的所述導引波導的至少部分中的所述輸出信號的傳播方向平行于所述基底。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片,其中,所述導引波導具有相同的長度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片,其中,所述導引波導的長度線性地改變。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片,包括在系統(tǒng)中,所述系統(tǒng)還包括:電子裝置,所述電子裝置操作所述相位調(diào)諧器以便改變所述LIDAR輸出信號遠離所述芯片行進的方向。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片,其中,所述導引波導的至少部分的寬度在所述相位調(diào)諧器與所述刻面之間變窄。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片,其中,所述導引波導各自包括光傳輸介質(zhì)的脊,所述脊遠離所述光傳輸介質(zhì)的位于所述脊之間的板狀區(qū)延伸,所述板狀區(qū)的厚度隨著所述板狀區(qū)接近所述刻面而減小。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片,其中,所述導引波導具有大于或等于1μm且小于或等于4μm的寬度。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片,其中,所述導引波導具有遠離板狀區(qū)延伸的光傳輸介質(zhì)的脊,所述板狀區(qū)具有大于0.0μm且小于或等于3μm的厚度。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片,其中,所述導引波導具有遠離光傳輸介質(zhì)的板狀區(qū)延伸的光傳輸介質(zhì)的脊,所述脊具有大于或等于1μm且小于或等于4μm的寬度、大于或等于1μm且小于或等于4μm的高度;并且所述板狀區(qū)具有大于0.0μm且小于或等于3μm的厚度。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片,其中,所述導引波導的至少部分各自排除所述相位調(diào)諧器。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片,其中,所述刻面被布置成使得相鄰刻面之間的分離小于1μm。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的芯片,其中,所述刻面以小于30μm的間距布置。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片,其中,所述刻面以大于1.5μm和/或小于30μm的間距布置。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片,其中,所述導引波導的至少部分各自包括錐形。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的芯片,其中,所述錐形被構(gòu)造成使得所述導引波導的寬度隨著所述導引波導接近所述刻面而減小。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片,其中,所述導引波導具有遠離光傳輸介質(zhì)的板狀區(qū)延伸的所述光傳輸介質(zhì)的脊,并且所述板狀區(qū)的鄰近于所述刻面的部分豎直地成錐形,使得所述板狀區(qū)的厚度隨著所述板狀區(qū)接近所述刻面而增大。
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