[發(fā)明專利]爆轟波陣面控制器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201980052093.3 | 申請日: | 2019-08-06 |
| 公開(公告)號: | CN112867904B | 公開(公告)日: | 2023-05-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 安德魯·拉姆利 | 申請(專利權(quán))人: | 線性成形有限公司 |
| 主分類號: | F42B3/26 | 分類號: | F42B3/26;F42D1/22 |
| 代理公司: | 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11240 | 代理人: | 石磊 |
| 地址: | 英國哈*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 爆轟波陣面 控制器 | ||
1.一種用于線型聚能裝藥裝置的爆轟波陣面控制器,包括:
第一部件,所述第一部件包括:
引爆器保持器,以及
第一孔,所述第一孔具有第一寬度和基本上為環(huán)狀多邊形、基本上為橢圓形、或基本上為圓形的形狀;以及
第二部件,所述第二部件包括:
第二孔,所述第二孔具有大于所述第一寬度的第二寬度,其中,在所述第一部件至少部分地接收在所述第二部件內(nèi)的情況下,所述第一部件能相對于所述第二部件移動,以至少在以下各項之間構(gòu)造所述爆轟波陣面控制器:
在所述第一孔和所述第二孔之間具有第一距離的第一構(gòu)型,以及
在所述第一孔和所述第二孔之間具有第二距離的第二構(gòu)型,所述第二距離大于所述第一距離。
2.如權(quán)利要求1所述的爆轟波陣面控制器,其中在所述第一構(gòu)型中,所述第一孔和所述第二孔每個都位于基本上相同的平面內(nèi)。
3.如權(quán)利要求1所述的爆轟波陣面控制器,其中所述第一孔位于所述第一部件的端部處,使得在所述第二構(gòu)型中,所述第一孔比所述引爆器保持器更靠近所述第二孔。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的爆轟波陣面控制器,其中所述引爆器保持器包括用于與引爆器的外表面接合的多個元件。
5.如權(quán)利要求4所述的爆轟波陣面控制器,所述多個元件每個都被向內(nèi)偏壓。
6.如權(quán)利要求4所述的爆轟波陣面控制器,所述多個元件包括:
第一對向內(nèi)偏壓的元件,所述第一對向內(nèi)偏壓的元件基本上彼此相對并且在不存在所述引爆器的情況下彼此分開第一最小間隔;以及
第二對向內(nèi)偏壓的元件,所述第二對向內(nèi)偏壓的元件基本上彼此相對并且在不存在所述引爆器的情況下彼此分開小于所述第一最小間隔的第二最小間隔。
7.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的爆轟波陣面控制器,包括第二部件接觸表面,所述第二部件接觸表面被定位成停止所述第二部件相對于所述第一部件超過所述第二部件接觸表面的移動,以確定所述爆轟波陣面控制器的所述第一構(gòu)型。
8.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的爆轟波陣面控制器,所述第一部件的外表面至少部分地與所述第二部件的內(nèi)表面接合。
9.如權(quán)利要求8所述的爆轟波陣面控制器,所述外表面包括多個突起,并且所述內(nèi)表面包括能與所述多個突起接合的多個凹陷部。
10.如權(quán)利要求9所述的爆轟波陣面控制器,其中所述多個突起包括多個周向脊,并且所述多個凹陷部包括多個周向凹槽。
11.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的爆轟波陣面控制器,所述第二部件包括沿遠離所述第一孔和所述第二孔的方向延伸的多個尖頭。
12.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的爆轟波陣面控制器,所述第二部件包括從所述第二部件向外延伸的多個凸片。
13.如權(quán)利要求12所述的爆轟波陣面控制器,其中所述多個凸片中的至少一個凸片是可鉸接的。
14.如權(quán)利要求12所述的爆轟波陣面控制器,其中所述多個凸片中的至少一個凸片是可折疊的。
15.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的爆轟波陣面控制器,所述第二部件的壁包括多個壁孔。
16.如權(quán)利要求15所述的爆轟波陣面控制器,所述多個壁孔包括彼此相對的第一對壁孔和彼此相對的第二對相對壁孔。
17.如權(quán)利要求15所述的爆轟波陣面控制器,其中所述多個壁孔中的至少一個壁孔朝向所述第二孔變窄。
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