[發明專利]具有波導和蝕刻連接器的激光圖案化適配器有效
| 申請號: | 201980052028.0 | 申請日: | 2019-08-05 |
| 公開(公告)號: | CN112534322B | 公開(公告)日: | 2023-05-09 |
| 發明(設計)人: | 威普庫馬·帕特爾;馬修·J·特拉韋爾索;阿什利·J·馬克爾;喬克·T·博文頓 | 申請(專利權)人: | 思科技術公司 |
| 主分類號: | G02B6/13 | 分類號: | G02B6/13;G02B6/136;G02B6/42 |
| 代理公司: | 北京東方億思知識產權代理有限責任公司 11258 | 代理人: | 董越 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 波導 蝕刻 連接器 激光 圖案 適配器 | ||
1.一種用于制造激光圖案化的適配器的方法,包括:
針對給定材料的基板中的光子元件確定對準點;
經由根據所述對準點與所述光子元件對準的激光器,向所述光子元件施加蝕刻圖案,以在所述光子元件中產生圖案化區域和未圖案化區域,其中,施加所述蝕刻圖案針對所述光子元件的所述圖案化區域改變所述給定材料中的化學鍵,其中,相對于所述未圖案化區域的反應性,所述改變增大了所述給定材料對蝕刻劑的反應性,并且其中,所述圖案化區域限定了所述未圖案化區域中的接合特征,所述接合特征被配置為與光子集成電路(PIC)上的配合特征接合;和
經由所述蝕刻劑從所述光子元件去除所述圖案化區域。
2.如權利要求1所述的方法,還包括:
將所述接合特征連接到所述光子集成電路的所述配合特征;和
將所述光子元件附著到所述光子集成電路,其中附著由以下各項之一組成:
環氧樹脂鍵合;
熱壓鍵合;和
晶圓鍵合。
3.如權利要求1所述的方法,還包括:
其中,所述圖案化區域還限定了所述未圖案化區域中的電纜連接器;
其中,被限定在所述基板中的波導的第一端根據所述對準點與所述接合特征相關地對準;并且
其中,該波導的第二端根據所述對準點與所述電纜連接器相關地對準。
4.如權利要求1所述的方法,其中,所述接合特征與被限定在所述基板中的波導相關地被限定在第一預定義位置處,并且所述配合特征與被包括在所述光子集成電路中的集成波導相關地被限定在第二預定義位置處。
5.如權利要求1所述的方法,還包括給所述光子元件添加細節,其中,給所述光子元件添加細節包括以下操作中的至少一個:
從所述基板切出所述光子元件;
拋光所述光子元件的至少一個表面;和
將所述光子元件附著到第二光子元件以形成多件式光學適配器。
6.如權利要求1所述的方法,還包括:
在施加所述蝕刻劑之前,對所述光子元件的第二部分進行物理蝕刻以影響所述蝕刻劑在施加期間的流動。
7.一種用于制造激光圖案化的適配器的方法,包括:
由激光器在透光材料上賦予第一圖案,其中,該第一圖案從第一側延伸進入所述透光材料中到與該第一側相對的第二側,其中,所述第一圖案限定了所述透光材料的未圖案化區域和所述透光材料的圖案化區域,所述圖案化區域相對于所述未圖案化區域對蝕刻劑具有增大的反應性,并且其中,所述圖案化區域限定了所述未圖案化區域中的接合特征,所述接合特征被配置為與光子集成電路(PIC)上的配合特征接合;
由所述激光器在所述透光材料上賦予第二圖案,其中所述第二圖案既不延伸到所述第一側也不延伸到所述第二側,所述第二圖案限定所述透光材料內的波導,該波導與所述接合特征相關地被對準以與所述光子集成電路的集成波導光耦合;和
經由所述蝕刻劑去除所述第一圖案的所述圖案化區域。
8.如權利要求7所述的方法,其中,按以下各項之一的預定義順序施加所述第一圖案和所述第二圖案:
所述第一圖案在所述第二圖案之前;
所述第二圖案在所述第一圖案之前;和
所述第一圖案與所述第二圖案同時。
9.如權利要求7所述的方法,其中,所述波導從所述第二側延伸到與所述第二側正交的第三側,以使得能夠與所述光子集成電路的所述集成波導進行漸逝耦合。
10.如權利要求7所述的方法,其中,所述第一圖案的所述圖案化區域在平行于所述第二側的平面中限定配合界面,并且所述波導從所述第二側延伸到所述配合界面。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于思科技術公司,未經思科技術公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201980052028.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:用于促進HARQ傳輸的方法和設備
- 下一篇:加密參數選擇





