[發(fā)明專利]閃存存儲器單元字節(jié)可變高持久性數(shù)據(jù)存儲器的共享源極線存儲器架構(gòu)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201980052017.2
• 申請日: 2019-08-16
• 公開（公告）號: CN112534503A
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: J-I·皮;K·休伊特
• 申請（專利權(quán)）人: 微芯片技術(shù)股份有限公司
• 主分類號: G11C16/04
• 分類號: G11C16/04;G11C16/10
• 代理公司: 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100
• 代理人: 陳斌

1.一種存儲器陣列，所述存儲器陣列包括：

多個存儲器單元，所述多個存儲器單元被布置成多個字節(jié)，每個字節(jié)包括一個或多個存儲器單元；

多條字線，每條字線連接到所述多個字節(jié)中的單個字節(jié)；和

共享源極線，所述共享源極線連接到所述多個字節(jié)；

使得所述多個字節(jié)中的每個字節(jié)能夠通過所述單獨(dú)字線中的一條字線以及所述共享源極線尋址。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器陣列，其中每個字節(jié)包括多個存儲器單元，并且其中，對于每個相應(yīng)字節(jié)，所述存儲器陣列包括連接到所述相應(yīng)字節(jié)的每個存儲器單元的相應(yīng)位線。

3.根據(jù)權(quán)利要求1至2中任一項(xiàng)所述的存儲器陣列，其中所述多個字節(jié)是所述存儲器陣列中的字節(jié)的子集。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的存儲器陣列，其中所述多個字節(jié)包括2字節(jié)、4字節(jié)、8字節(jié)、16字節(jié)、32字節(jié)、64字節(jié)或128字節(jié)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的存儲器陣列，其中：

所述多個字節(jié)包括連接到所述公共源極線的至少第一字節(jié)和第二字節(jié)；并且

對所述第一字節(jié)執(zhí)行的編程操作將源極線電壓施加在與對角編程干擾狀況相對應(yīng)的所述第二字節(jié)上。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的存儲器陣列，其中：

所述多個字節(jié)包括連接到所述公共源極線的至少第一字節(jié)和第二字節(jié)；并且

對所述第一字節(jié)執(zhí)行的編程操作將源極線電壓施加在與行編程干擾狀況相對應(yīng)的所述第二字節(jié)上。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的存儲器陣列，其中：

所述多個字節(jié)包括至少第一字節(jié)和第二字節(jié)；

所述第一字節(jié)連接到所述多條字線中的第一字線；

所述第二字節(jié)連接到所述多條字線中的第二字線；

所述第一字節(jié)和所述第二字節(jié)連接到所述公共源極線；

所述第一字節(jié)連接到至少一條第一位線；并且

所述第二字節(jié)連接到與所述至少一條第一位線分開的至少一條第二位線。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲器陣列，所述存儲器陣列還包括驅(qū)動器，所述驅(qū)動器被配置為，針對對所述第一字節(jié)執(zhí)行的編程操作：

將第一字線電壓施加在連接到所述第一字節(jié)的所述第一字線上；

將源極線電壓施加在連接到所述第一字節(jié)和所述第二字節(jié)兩者的所述共享源極線上；以及

將禁止電壓施加在連接到所述第二字節(jié)的所述至少一條第二位線上。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的存儲器陣列，其中所述多個存儲器單元包括NOR閃存存儲器單元。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器陣列，其中所述多個分裂柵存儲器單元包括嵌入式存儲器單元。

11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的存儲器陣列，其中所述多個存儲器單元包括多個分裂柵存儲器單元。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲器陣列，其中所述多個分裂柵存儲器單元包括具有共享擦除柵或共享耦合柵的分裂柵單元。

13.根據(jù)權(quán)利要求1至12中任一項(xiàng)所述的存儲器陣列，包括用于所述共享源極線的單個源極線驅(qū)動器，使得所述存儲器陣列中的單個源極線驅(qū)動器的總數(shù)少于所述存儲器陣列中的字節(jié)的總數(shù)。