[發(fā)明專利]控制等離子體加工的系統(tǒng)和方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201980051970.5
• 申請(qǐng)日: 2019-08-28
• 公開（公告）號(hào): CN112534544A
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 彼得·文特澤克;陳志英;阿洛科·蘭詹
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01J37/32
• 分類號(hào): H01J37/32
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 陳煒;李德山

1.一種等離子體加工方法，該方法包括：

生成源功率(SP)脈沖的第一序列；

生成偏置功率(BP)脈沖的第二序列；

將該第二序列中的這些BP脈沖與該第一序列中的這些SP脈沖組合，以形成交替的SP脈沖和BP脈沖的組合序列；以及

使用該組合序列生成包括離子的等離子體并且通過將這些離子傳送至襯底的主表面來加工該襯底。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括：

調(diào)整這些SP脈沖的后緣與這些BP脈沖的前緣之間的偏移持續(xù)時(shí)間。

3.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括：

調(diào)整該第二序列中的這些BP脈沖的脈沖寬度持續(xù)時(shí)間。

4.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括：

調(diào)整該第一序列中的SP脈沖之間的關(guān)斷時(shí)間持續(xù)時(shí)間。

5.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括：

生成電位控制功率(PCP)脈沖的第三序列，其中，該第三序列中的這些PCP脈沖在時(shí)間上與該組合序列中的這些交替的SP脈沖和BP脈沖重疊。

6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，這些PCP脈沖包括負(fù)直流(DC)脈沖，并且其中，在這些SP脈沖期間將這些負(fù)DC脈沖提供至該等離子體。

7.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，這些PCP脈沖包括正直流(DC)脈沖，并且其中，在這些BP脈沖期間將這些正DC脈沖提供至該等離子體。

8.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括：

在該組合序列中的這些交替的SP脈沖和BP脈沖期間在該等離子體處提供電子流。

9.一種等離子體加工方法，包括：

將源功率(SP)提供至等離子體加工室以生成等離子體，該SP包括多個(gè)SP脈沖；以及

將包括多個(gè)偏置功率(BP)脈沖的BP提供至該等離子體加工室，其中，將該多個(gè)SP脈沖和該多個(gè)BP脈沖組合以形成脈沖序列，其中，該脈沖序列中的每個(gè)脈沖包括該多個(gè)SP脈沖中的SP脈沖和該多個(gè)BP脈沖中的BP脈沖以及該SP脈沖的一部分或者該BP脈沖的一部分處于高振幅狀態(tài)的時(shí)間間隔。

10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中：

該SP包括第一頻率的交流(AC)功率；

該BP包括第二頻率的AC功率；并且

該第二頻率小于該第一頻率。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，該第一頻率大于約10MHz，并且該第二頻率小于約5MHz。

12.如權(quán)利要求10所述的方法，其中，該第二頻率小于約400kHz。

13.如權(quán)利要求9所述的方法，其中：

該SP包括交流(AC)功率；并且

該BP包括直流(DC)功率。

14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，將SP和BP提供至該等離子體加工室包括使該多個(gè)SP脈沖中的這些SP脈沖與該多個(gè)BP脈沖中的這些BP脈沖交替；并且其中，該多個(gè)BP脈沖中的每一個(gè)包括單個(gè)DC脈沖。

15.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，該多個(gè)BP脈沖中的每一個(gè)包括交替極性DC脈沖。

16.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，該脈沖序列是周期性序列，其中：

將該SP和該BP提供至該等離子體加工室包括將包括該多個(gè)SP脈沖和該多個(gè)BP脈沖的該周期性序列傳送至該等離子體加工室；

該周期性序列的每個(gè)循環(huán)包括該多個(gè)SP脈沖中的恰好一個(gè)SP脈沖；并且

該多個(gè)SP脈沖中的每一個(gè)的占空比為約50％。