[發明專利]用于從襯底處理系統的排放裝置的泵去除沉積物的清潔系統在審
| 申請號: | 201980051947.6 | 申請日: | 2019-06-14 |
| 公開(公告)號: | CN112534563A | 公開(公告)日: | 2021-03-19 |
| 發明(設計)人: | 克里希納·比魯;劉剛;倫納德·許;阿南德·查德拉什卡;許吉順 | 申請(專利權)人: | 朗姆研究公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H05H1/46;H01J37/32;H01L21/02 |
| 代理公司: | 上海勝康律師事務所 31263 | 代理人: | 李獻忠;張靜 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 襯底 處理 系統 排放 裝置 去除 沉積物 清潔 | ||
1.一種用于襯底處理系統的排放系統,其包括:
自由基產生器,其被構造成接收包含鹵素物質的氣體混合物并且產生鹵素自由基;
第一泵,其用于從處理室的排放出口抽出廢氣;以及
第一閥,其被構造成將所述自由基產生器的出口選擇性地流體地連接至所述處理室的所述出口下游的所述第一泵的入口。
2.根據權利要求1所述的排放系統,還包括:
混合碗,其布置在所述第一泵的上游和所述處理室的所述出口的下游,
其中,所述第一閥被構造成將所述自由基產生器的所述出口選擇性地流體地連接至所述混合碗的第一入口。
3.根據權利要求2所述的排放系統,其中,所述混合碗的第二入口流體地連接至所述排放出口。
4.根據權利要求3所述的排放系統,其還包括第二閥,所述第二閥被構造成將所述自由基產生器的出口選擇性地流體地連接至所述混合碗的所述第二入口。
5.根據權利要求2所述的排放系統,其還包括:
第二泵,其具有流體地連接到所述處理室的所述出口的入口以及流體地連接到所述混合碗的所述入口的出口,
其中,所述第一泵的所述入口流體地連接到所述混合碗的出口。
6.根據權利要求5所述的排放系統,其中,所述第二泵包括渦輪分子泵,并且所述第一泵選自由粗泵和干式泵組成的群組。
7.根據權利要求2所述的排放系統,其中,所述混合碗包括收集器。
8.根據權利要求5所述的排放系統,其還包括:
清掃氣體源;和
第二閥,其被構造成選擇性地將所述清掃氣體源流體地連接到所述第一泵。
9.根據權利要求1所述的排放系統,其還包括氣體檢測器,所述氣體檢測器流體地連接到所述第一泵的出口。
10.根據權利要求5所述的排放系統,其還包括:
氣體檢測器;
第二閥,其被構造成將所述第一泵的所述出口選擇性地流體地連接至所述氣體檢測器的入口;
第三泵,其連接到所述氣體檢測器的出口;以及
第三閥,其被構造成將所述第三泵的出口選擇性地流體地連接至減排系統。
11.一種襯底處理系統,其包括:
根據權利要求1所述的排放系統;
處理室;
遠程等離子體源,其被構造成產生遠程等離子體并且選擇性地將所述遠程等離子體輸送到所述處理室;以及
控制器,其被構造成使用所述遠程等離子體源選擇性地執行室清潔并且使用所述自由基產生器執行泵清潔。
12.根據權利要求11所述的襯底處理系統,其中,所述控制器被構造成在第一時段期間執行所述室清潔并且在第二時段期間執行所述泵清潔。
13.根據權利要求12所述的襯底處理系統,其中,所述第二時段與所述第一時段至少部分地重疊。
14.根據權利要求12所述的襯底處理系統,其中,所述第二時段按順序在所述第一時段之后。
15.根據權利要求12所述的襯底處理系統,其中,所述第一時段按順序在所述第二時段之后。
16.根據權利要求11所述的襯底處理系統,其中,所述控制器在先前的室清潔之后處理X個襯底之后執行所述室清潔,并且在先前的泵清潔之后處理Y個襯底之后執行所述泵清潔,其中X和Y為大于1的整數。
17.根據權利要求16所述的襯底處理系統,其中,X不等于Y。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





