[發明專利]具有光耦合層及轉換層的發光二極管在審
| 申請號: | 201980051689.1 | 申請日: | 2019-07-31 |
| 公開(公告)號: | CN112513724A | 公開(公告)日: | 2021-03-16 |
| 發明(設計)人: | 弗洛瑞恩·普舍尼茨卡 | 申請(專利權)人: | 科迪華公司 |
| 主分類號: | G02F1/1334 | 分類號: | G02F1/1334;G02F1/1335;G09G3/20;G09G3/32;H01L27/15 |
| 代理公司: | 北京坦路來專利代理有限公司 11652 | 代理人: | 索翌 |
| 地址: | 美國加利福*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有光 耦合 轉換 發光二極管 | ||
1.一種像素,其包括:
基材;
所述基材上的紅色子像素,所述紅色子像素包括:
第一發光二極管;
第一耦合層,其設置在所述第一發光二極管之上,其中所述第一耦合層是:(a)半球形;(b)包含設置在聚合物基質中的散射顆粒;或(c)半球形并且包含設置在聚合物基質中的散射顆粒;以及
紅色發光層,其包含發紅光的量子點和散射顆粒,所述發紅光的量子點和散射顆粒設置在設置在所述第一耦合層之上的所述聚合物基質中;
所述基材上的綠色子像素,所述綠色子像素包括:
第二發光二極管;
第二耦合層,其設置在所述第二發光二極管之上,其中所述第二耦合層是:(a)半球形;(b)包含設置在聚合物基質中的散射顆粒;或(c)半球形并且包含設置在聚合物基質中的散射顆粒;以及
綠色發光層,其包含發綠光的量子點和散射顆粒,所述發綠光的量子點和散射顆粒設置在設置在所述第二耦合層之上的所述聚合物基質中;以及
所述基材上的藍色子像素,所述藍色子像素包括:
第三發光二極管。
2.根據權利要求1所述的像素,其中所述第一發光二極管、所述第二發光二極管和所述第三發光二極管是藍色發光二極管。
3.根據權利要求2所述的像素,其中所述藍色發光二極管是基于氮化鎵的二極管。
4.根據權利要求1所述的像素,其中所述第一發光二極管、所述第二發光二極管和所述第三發光二極管為紫外線發光二極管,并且所述藍色子像素包括:
設置在所述第三發光二極管之上的第三耦合層,其中所述第三耦合層是:(a)半球形;(b)包含設置在聚合物基質中的散射顆粒;或(c)半球形并且包含設置在聚合物基質中的散射顆粒;和
藍光發射層,其包含發藍光的量子點和散射顆粒,所述發藍光的量子點和散射顆粒設置在設置在所述第三耦合層之上的聚合物基質中。
5.根據權利要求1所述的像素,其中所述第一耦合層位于所述第一發光二極管之上,所述第二耦合層位于所述第二發光二極管之上,或者所述第一耦合層和第二耦合層分別位于所述第一和第二發光二極管之上。
6.根據權利要求1所述的像素,其中所述第一耦合層通過具有量子點濃度梯度的界面區域與所述紅色發光層隔開,其中在所述界面區域中的發紅光的量子點的濃度在所述第一耦合層附近比在紅色發光層附近低,和/或其中所述第二耦合層通過具有量子點濃度梯度的界面區域與所述綠色發光層隔開,其中在所述界面區域中的發綠光的量子點的濃度在所述第二耦合層附近比在綠色發光層附近低。
7.根據權利要求1所述的像素,其中所述綠色子像素的發射表面積大于所述紅色子像素的發射表面積,并且所述紅色子像素的發射表面積大于所述藍色子像素的發射表面積。
8.一種顏色轉換顯示裝置,其包括:
顯示裝置基板;
設置在所述顯示裝置基板上的根據權利要求1所述的多個像素;和
設置在所述多個像素之上的半透明保護層。
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