[發(fā)明專(zhuān)利]植入物在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201980051641.0 | 申請(qǐng)日: | 2019-07-22 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112533669A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-03-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | T.多爾;U.菲斯;R.克倫納;T.奧特曼 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 百多力兩合公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | A61N1/375 | 分類(lèi)號(hào): | A61N1/375 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 王冉 |
| 地址: | 德國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 植入 | ||
1.一種包括電子模塊和儲(chǔ)能器的植入物,其中,所述電子模塊的體積小于所述儲(chǔ)能器的體積的25%。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的植入物,其中,所述電子模塊的長(zhǎng)度與所述電子模塊的寬度之比為4:1或更大。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的植入物,其中,所述電子模塊的寬度小于或等于所述儲(chǔ)能器的寬度。
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的植入物,其中,所述電子模塊的長(zhǎng)度小于或等于所述儲(chǔ)能器的長(zhǎng)度。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的植入物,還具有電極連接裝置,其中,所述電子模塊的長(zhǎng)度小于或等于所述電極連接裝置的長(zhǎng)度,和/或其中,所述電子模塊的寬度小于或等于所述電極連接裝置的寬度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的植入物,其中,所述儲(chǔ)能器的長(zhǎng)度小于或等于所述電極連接裝置的長(zhǎng)度,和/或其中,所述儲(chǔ)能器的寬度小于或等于所述電極連接裝置的寬度。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的植入物,其中,所述電子模塊具有基板,在所述基板上布置有多個(gè)部件,其中,所述基板的面積小于或等于所述儲(chǔ)能器的前側(cè)的面積。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的植入物,其中,所述多個(gè)部件中的一些具有的最小結(jié)構(gòu)尺寸為F≤90nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的植入物,其中,所述多個(gè)部件中的至少一個(gè)布置在所述基板的第一側(cè),并且其中,所述多個(gè)部件中的至少另一個(gè)布置在所述基板的第二側(cè)。
10.根據(jù)權(quán)利要求7至9中任一項(xiàng)所述的植入物,其中,所述多個(gè)部件中的一些作為SMD元件布置在所述基板上。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的植入物,其中,所述多個(gè)部件中的一些布置在一個(gè)或多個(gè)球柵陣列(BGA)包裝和/或多芯片模塊(MCM)包裝中,和/或作為裸集成電路布置在所述基板上。
12.根據(jù)權(quán)利要求7至9中任一項(xiàng)所述的植入物,其中,所述多個(gè)部件中的一些在所述基板的一側(cè)并排布置或彼此疊置,其中,所述部件各自連接至所述基板,并且其中,所述部件通過(guò)灌封器具封裝。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的植入物,其中,在所述灌封器具中形成用于所述儲(chǔ)能器的連接觸點(diǎn)和/或用于穿通部的另一連接觸點(diǎn)的孔。
14.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的植入物,其中,所述電子模塊形成為多芯片模塊。
15.根據(jù)權(quán)利要求5至14中任一項(xiàng)所述的植入物,其中,到所述電極連接裝置的穿通部形成為:
-所述電子模塊的構(gòu)成部件,
-所述電子模塊上的SMD部件,或者
-所述電子模塊上的插入式連接。
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