[發明專利]閥裝置

在審

• 申請號: 201980050812.8
• 申請日: 2019-05-31
• 公開（公告）號: CN112534166A
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發明（設計）人: 近藤研太;篠原努;中田知宏;佐藤秀信
• 申請（專利權）人: 株式會社富士金
• 主分類號: F16K7/16
• 分類號: F16K7/16;H01L21/31
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

本發明提供一種能夠以更加準確的流量穩定地供給且抑制了裝置間流量的偏差的閥裝置。該閥裝置具有：閥體(2)；閥座(48)；金屬合金制的內盤(3)，其具有內側環狀部(32)、外側環狀部(31)、以及將內側環狀部(32)和外側環狀部(31)連接的連接部(37)；金屬合金制的隔膜(41)，其以覆蓋內盤(3)以及閥座(48)的方式設置，通過在相對于閥座(48)不接觸的開位置以及相對于閥座(48)接觸的閉位置之間移動而進行第1流路(21)和第2流路(22、23)之間的連通以及切斷；以及按壓轉接器(43)，其將隔膜(41)的周緣部朝向外側環狀部(31)按壓，內盤(3)具有比閥座(48)的硬度高的硬度，并且具有比閥體(2)以及隔膜(41)這兩者的硬度低的硬度。

技術領域

本發明涉及閥裝置、流體控制裝置、流體控制方法、半導體制造裝置以及半導體制造方法。

背景技術

例如，在半導體制造工序中，使用流體控制裝置，該流體控制裝置相對于半導體制造裝置的腔室控制各種處理氣體的供給。例如，在原子層沉積法(ALD：Atomic LayerDeposition法)等中，要求一種能夠以更加準確的流量穩定地供給使膜沉積于基板的處理工藝所使用的處理氣體且小型化的流體控制裝置。

引用文獻1公開了一種上述那樣的流體控制裝置所使用的隔膜閥。該隔膜閥具備能夠裝卸地配置于主體的座、以及將該座約束于主體上的座保持件。該座保持件不僅起到了將座約束于主體上的作用，還起到了對隔膜的周緣部進行支承的作用。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2015-036563號公報

發明內容

發明要解決的問題

在引用文獻1所公開的那樣的隔膜閥中，存在每個閥中流量的偏差相對較大的問題。

本發明的目的之一是鑒于上述的情況而完成的，在于提供能夠以更加準確的流量穩定地供給且抑制了裝置間流量的偏差的閥裝置、使用了該閥裝置的流體控制裝置、流體控制方法、半導體制造裝置以及半導體制造方法。

用于解決問題的方案

本發明的閥裝置具有：金屬合金制的閥體，其劃定第1流路以及第2流路；閥座，其配置于所述閥體上的所述第1流路的開口周圍；金屬合金制的內盤，其具有通過與所述閥座卡合而將該閥座約束于所述閥體上的內側環狀部、配置于所述內側環狀部的外周側且與所述閥體接觸的外側環狀部、以及將所述內側環狀部和所述外側環狀部連接且具有與所述第2流路連通的多個開口的連接部；金屬合金制的隔膜，其以周緣部與所述外側環狀部接觸且覆蓋所述內盤以及所述閥座的方式設置，通過在相對于所述閥座不接觸的開位置以及相對于所述閥座接觸的閉位置之間移動而進行所述第1流路和所述第2流路之間的連通以及切斷；以及按壓轉接器，其為了對所述外側環狀部與所述隔膜之間以及所述外側環狀部與所述閥體之間進行密封，將所述隔膜的周緣部的與所述外側環狀部側相反的一側的面朝向該外側環狀部按壓，

所述內盤具有比所述閥座的硬度高的硬度，并且具有比所述閥體以及所述隔膜這兩者的硬度低的硬度。

優選的是，在所述閥體、隔膜以及內盤中，僅在所述內盤或實質上僅在所述內盤產生由于所述按壓轉接器的按壓而引起的塑性變形。

優選的是，所述隔膜的硬度比所述閥體的硬度低，所述內盤的硬度比所述隔膜的硬度低。

更加優選的是，所述內盤的硬度處于Hv90～Hv150的范圍，所述主體的硬度為Hv200以上，所述隔膜的硬度處于Hv400～Hv700的范圍。