[發明專利]高密度等離子體增強化學氣相沉積腔室

在審

• 申請號: 201980050508.3
• 申請日: 2019-07-19
• 公開（公告）號: CN112534557A
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發明（設計）人: 元泰景;李永東;高建德;桑杰伊·D·雅達夫;崔壽永;蘇希爾·安瓦爾
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L21/683;H05H1/46;H01J37/32;H01L21/02
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006
• 代理人: 徐金國;趙靜

1.一種等離子體沉積腔室，包括：

噴頭，具有多個穿孔磚，每個穿孔磚耦接于多個支撐構件中的一者或多者；

多個介電板，這些介電板中的一者對應于這些穿孔磚中的一者；和

多個電感耦合器，其中所述多個電感耦合器中的一個電感耦合器對應于所述多個介電板中的一者，其中這些支撐構件將前驅物氣體提供到在這些電感耦合器與這些穿孔磚之間形成的容積。

2.如權利要求1所述的腔室，其中所述多個支撐構件的每一者包括形成在所述支撐構件中的導管，用于使所述前驅物氣體流動。

3.如權利要求1所述的腔室，其中所述多個支撐構件的每一者包括形成在所述支撐構件中的冷卻劑通道，用于使冷卻劑流動。

4.如權利要求1所述的腔室，進一步包括與這些電感耦合器的每一者相關聯的介電板，所述介電板界定所述容積的一側。

5.如權利要求1所述的腔室，其中所述多個穿孔磚和所述多個支撐構件的每一者包括界面部分。

6.如權利要求5所述的腔室，其中每個界面部分包括可移除條帶。

7.如權利要求1所述的腔室，其中所述多個穿孔磚的一部分由穿孔條帶分隔。

8.如權利要求7所述的腔室，其中每個穿孔條帶通過界面部分耦接到所述多個支撐構件的支撐構件。

9.如權利要求8所述的腔室，其中每個界面部分包括可移除條帶。

10.一種用于等離子體沉積腔室的噴頭，所述噴頭包括：

支撐構件，包括多個第一支撐表面和多個第二支撐表面，其中所述多個第一支撐表面設置成在第一方向中與所述多個第二支撐表面相距第一距離；

多個氣體輸送組件，包括多個穿孔磚和多個介電板，其中所述多個氣體輸送組件的每一者包括：

穿孔磚，設置在所述多個第一支撐表面中的第一支撐表面上；和

介電板，設置在所述多個第二支撐表面中的第二支撐表面上，

其中，在所述介電板的表面與所述穿孔磚的表面之間限定氣體容積；

多個氣體輸送口，其中每個氣體輸送口配置成將氣體輸送到所述多個氣體輸送組件的氣體容積；和

線圈，設置在所述噴頭內的所述多個氣體輸送組件中的一者或多者上方。

11.如權利要求10所述的噴頭，其中所述支撐構件包括形成在所述支撐構件中的導管，用于使所述前驅物氣體流動。

12.如權利要求10所述的噴頭，其中所述支撐構件包括形成在所述支撐構件中的冷卻劑通道，用于使冷卻劑流動。

13.如權利要求10所述的噴頭，所述介電板界定所述氣體容積的一側。

14.如權利要求10所述的噴頭，其中所述多個穿孔磚和所述支撐構件的每一者包括界面部分。

15.如權利要求14所述的噴頭，其中每個界面部分包括可移除條帶，并且其中所述多個穿孔磚的一部分由穿孔條帶分隔。