[發明專利]石墨烯擴散阻擋物

在審

• 申請號: 201980050230.X
• 申請日: 2019-08-09
• 公開（公告）號: CN112514031A
• 公開（公告）日: 2021-03-16
• 發明（設計）人: 巫勇;S·岡迪科塔;A·B·瑪里克;S·D·耐馬尼
• 申請（專利權）人: 應用材料公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/3205;H01L21/768;H01L29/16;H01L27/11524
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 侯穎媖;張鑫

1.一種形成電子裝置的方法，所述方法包括：

在基板表面上形成石墨烯阻擋層；以及

在所述石墨烯阻擋層上沉積填充層，

其中所述石墨烯阻擋層防止至少一種元素在所述填充層與所述基板表面之間的擴散。

2.如權利要求1所述的方法，其中所述基板表面包括介電材料。

3.如權利要求2所述的方法，其中所述介電材料包括金屬氧化物。

4.如權利要求3所述的方法，其中所述介電材料基本上由Al₂O₃組成。

5.如權利要求1所述的方法，其中所述石墨烯阻擋層的厚度在約至約的范圍中。

6.如權利要求1所述的方法，其中所述填充層包括鎢、釕、銅或鈷中的一種或多種。

7.如權利要求1所述的方法，其中所述至少一種元素包括鹵素、氧或硼中的一種或多種。

8.如權利要求7所述的方法，其中所述至少一種元素基本上由氟組成。

9.如權利要求1所述的方法，其中所述填充層包括鎢，并且通過包括將所述石墨烯阻擋層順序地暴露于包括WF₆的鎢前驅物、以及反應物的方法來沉積所述填充層。

10.一種形成電子裝置的方法，所述方法包括：

在包括Al₂O₃的基板表面上形成石墨烯阻擋層，所述石墨烯阻擋層的厚度在約至約的范圍中；

在所述石墨烯阻擋層上形成非晶硅層；以及

將所述非晶硅層暴露于鎢前驅物以通過原子取代形成鎢層，所述鎢前驅物包括WF₆，

其中所述石墨烯阻擋層防止氟擴散到所述基板表面中。

11.一種電子裝置，所述電子裝置包括在第一材料與第二材料之間的石墨烯阻擋層，其中所述石墨烯阻擋層防止至少一種元素在所述第一材料與所述第二材料之間的擴散。

12.如權利要求11所述的裝置，其中所述石墨烯阻擋層具有在約至約的范圍中的厚度。

13.如權利要求11所述的裝置，其中所述至少一種元素包括鹵素、氧或硼中的一種或多種。

14.如權利要求13所述的裝置，其中所述至少一種元素基本上由氟組成。

15.如權利要求11所述的裝置，其中所述裝置為包括所述第一材料和所述第二材料的多個交替層的3D NAND裝置。